- Vgs - Gate-Source Voltage :
- Package / Case :
- Minimum Operating Temperature :
- Maximum Operating Temperature :
- Number of Channels :
- Transistor Polarity :
- Vds - Drain-Source Breakdown Voltage :
- Id - Continuous Drain Current :
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- - 3 A (1)
- - 4.2 A (1)
- - 5 A (1)
- - 5.3 A (1)
- - 5.8 A (1)
- - 6 A (2)
- - 6.7 A (1)
- - 7 A (4)
- - 9 A (1)
- 1 mA (1)
- 10 A (1)
- 15 A (1)
- 18 A (1)
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- 30 A (1)
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- 34 A (3)
- 38 A (1)
- 39 A (2)
- 4.5 A (3)
- 42 A (1)
- 44 A (1)
- 45 A (2)
- 47 A (3)
- 5 A (1)
- 5.7 A (1)
- 5.8 A (1)
- 50 A (1)
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- 6 A (2)
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- 7 A (1)
- 7.1 A (1)
- 7.2 A (1)
- Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage :
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50 Produkt
| Bild | Modell | Preis | Anzahl | Lager | Hersteller | Beschreibung | Vgs - Gate-Source Voltage | Mounting Style | Package / Case | Minimum Operating Temperature | Maximum Operating Temperature | Packaging | Number of Channels | Technology | Transistor Polarity | Vds - Drain-Source Breakdown Voltage | Id - Continuous Drain Current | Rds On - Drain-Source Resistance | Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage | Qg - Gate Charge | Channel Mode | Tradename | |
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Ein Angebot |
2,345
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Infineon / IR | MOSFET MOSFT 80V 39A 28mOhm 22nC Log Lvl | 16 V | SMD/SMT | TO-252-3 | - 55 C | + 175 C | Reel | 1 Channel | Si | N-Channel | 80 V | 39 A | 28 mOhms | 2.5 V | 33 nC | ||||
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Ein Angebot |
4,086
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Fairchild Semiconductor | MOSFET 100V 44a .28 Ohms/VGS=1V | 20 V | SMD/SMT | TO-252-3 | - 55 C | + 175 C | Reel | 1 Channel | Si | N-Channel | 100 V | 44 A | 28 mOhms | Enhancement | UltraFET | ||||
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Ein Angebot |
2,023
Verfügbar auf Lager
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Infineon Technologies | MOSFET N-Ch 200V 34A D2PAK-2 OptiMOS 3 | 20 V | SMD/SMT | TO-263-3 | - 55 C | + 175 C | Reel | 1 Channel | Si | N-Channel | 200 V | 34 A | 28 mOhms | 2 V | 29 nC | Enhancement | OptiMOS | ||
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5,580
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Infineon / IR | MOSFET 100V 1 N-CH HEXFET DIRECTFET SJ | 20 V | SMD/SMT | DirectFET-SJ | - 40 C | + 150 C | Reel | 1 Channel | Si | N-Channel | 100 V | 5.7 A | 28 mOhms | 14 nC | Enhancement | Directfet | |||
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9,833
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Nexperia | MOSFET HIGH PERF TRENCHMOS | 15 V | SMD/SMT | TO-252-3 | - 55 C | + 185 C | Reel | 1 Channel | Si | N-Channel | 100 V | 47 A | 28 mOhms | Enhancement | |||||
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Ein Angebot |
3,554
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STMicroelectronics | MOSFET AC Pwr switch | 20 V | SMD/SMT | TO-252-3 | - 55 C | + 175 C | Reel | 1 Channel | Si | N-Channel | 100 V | 50 A | 28 mOhms | Enhancement | |||||
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3,311
Verfügbar auf Lager
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Infineon Technologies | MOSFET N-Ch 150V 30A CanPAK3 MZ OptiMOS 3 | WDSON-2-3 | Reel | 1 Channel | Si | N-Channel | 150 V | 30 A | 28 mOhms | OptiMOS | |||||||||
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2,473
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Diodes Incorporated | MOSFET 100V 175c N-Ch FET 28mOhm 10V 55A | 20 V | SMD/SMT | TO-252-3 | - 55 C | + 175 C | Reel | 1 Channel | Si | N-Channel | 100 V | 55 A | 28 mOhms | 2 V | 36 nC | Enhancement | |||
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4,914
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Fairchild Semiconductor | MOSFET SPECIFIED POWER TR 1.8V PCH | 8 V | SMD/SMT | TO-252-3 | - 55 C | + 175 C | Reel | 1 Channel | Si | P-Channel | - 12 V | - 6.7 A | 28 mOhms | Enhancement | PowerTrench | ||||
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Ein Angebot |
4,470
Verfügbar auf Lager
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Fairchild Semiconductor | MOSFET 30V N-Ch PowerTrench | 20 V | SMD/SMT | TO-252-3 | - 55 C | + 175 C | Reel | 1 Channel | Si | N-Channel | 30 V | 21 A | 28 mOhms | Enhancement | PowerTrench | ||||
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Ein Angebot |
2,986
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Diodes Incorporated | MOSFET P-Ch 60V Enh Mode 145W 20Vgs 2569pF | +/- 20 V | SMD/SMT | SOT-223-3 | - 55 C | + 150 C | Reel | Si | P-Channel | - 60 V | - 7 A | 28 mOhms | - 3 V | 53.1 nC | Enhancement | ||||
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Ein Angebot |
2,178
Verfügbar auf Lager
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Fairchild Semiconductor | MOSFET SO-8 N-CH 60V | 20 V | SMD/SMT | SO-8 | - 55 C | + 150 C | Reel | 1 Channel | Si | N-Channel | 60 V | 7 A | 28 mOhms | Enhancement | PowerTrench | ||||
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Ein Angebot |
1,996
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Fairchild Semiconductor | MOSFET 100V N-Channel PowerTrench MOSFET | SMD/SMT | SOT-223-4 | + 150 C | Reel | 1 Channel | Si | N-Channel | 100 V | 6.6 A | 28 mOhms | 17 nC | PowerTrench | ||||||
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Ein Angebot |
1,267
Verfügbar auf Lager
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Fairchild Semiconductor | MOSFET 100V 44A N-Channel PowerTrench | 20 V | SMD/SMT | TO-263-3 | - 55 C | + 175 C | Reel | 1 Channel | Si | N-Channel | 100 V | 7.2 A | 28 mOhms | Enhancement | UltraFET | ||||
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Ein Angebot |
1,568
Verfügbar auf Lager
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ON Semiconductor | MOSFET 60V 45A N-Channel | 15 V | SMD/SMT | TO-263-3 | - 55 C | + 175 C | Reel | 1 Channel | Si | N-Channel | 60 V | 45 A | 28 mOhms | Enhancement | |||||
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Ein Angebot |
2,268
Verfügbar auf Lager
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Nexperia | MOSFET TRENCH 31V-99V G3 | 15 V | SMD/SMT | LFPAK56-5 | - 55 C | + 175 C | Reel | 1 Channel | Si | N-Channel | 75 V | 34 A | 28 mOhms | Enhancement | |||||
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Ein Angebot |
770
Verfügbar auf Lager
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Infineon Technologies | MOSFET N-Ch 200V 34A D2PAK-2 OptiMOS 3 | 20 V | SMD/SMT | TO-263-3 | - 55 C | + 175 C | Reel | 1 Channel | Si | N-Channel | 200 V | 34 A | 28 mOhms | 2 V | 29 nC | Enhancement | OptiMOS | ||
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Ein Angebot |
2,490
Verfügbar auf Lager
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Diodes Incorporated | MOSFET N-Ch Enh Mode FET 100Vds 20Vgs 125W | 10 V | SMD/SMT | TO-252-3 | - 55 C | + 175 C | Reel | 1 Channel | Si | N-Channel | 100 V | 55 A | 28 mOhms | 2.5 V | 36 nC | Enhancement | |||
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Ein Angebot |
965
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Fairchild Semiconductor | MOSFET SO-8 DUAL N-CH 30V | 20 V | SMD/SMT | SO-8 | - 55 C | + 150 C | Reel | 2 Channel | Si | N-Channel | 30 V | 6 A | 28 mOhms | Enhancement | PowerTrench | ||||
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Ein Angebot |
1,371
Verfügbar auf Lager
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ON Semiconductor | MOSFET NFET SO8 30V 7.5A 0.034R | 20 V | SMD/SMT | SOIC-8 | - 55 C | + 150 C | Reel | 2 Channel | Si | N-Channel | 30 V | 4.5 A | 28 mOhms | Enhancement | |||||
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Ein Angebot |
6,920
Verfügbar auf Lager
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Nexperia | MOSFET PMV30XPEA/TO-236AB/REEL 7" Q3/ | +/- 12 V | SMD/SMT | SOT-23-3 | - 55 C | + 150 C | Reel | 1 Channel | Si | P-Channel | - 20 V | - 5.3 A | 28 mOhms | - 1.25 V | 17 nC | Enhancement | |||
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Ein Angebot |
2,642
Verfügbar auf Lager
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Diodes Incorporated | MOSFET 30V P-Ch Enh Mode 20Vgss 931pF 19.3nC | 20 V | SMD/SMT | SO-8 | - 55 C | + 150 C | Reel | 1 Channel | Si | P-Channel | - 30 V | - 5.8 A | 28 mOhms | - 2.4 V | 19.3 nC | Enhancement | PowerDI | ||
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Ein Angebot |
393
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Fairchild Semiconductor | MOSFET UltraFET Power MOSFET | 16 V | SMD/SMT | TO-263-3 | - 55 C | + 175 C | Reel | 1 Channel | Si | N-Channel | 100 V | 39 A | 28 mOhms | 1.6 V | 56 nC | ||||
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Ein Angebot |
2,402
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Nexperia | MOSFET PMPB29XNE/SOT1220/REEL 7" Q1/T | SMD/SMT | DFN2020MD-6 | - 55 C | + 150 C | Reel | 1 Channel | Si | N-Channel | 30 V | 5 A | 28 mOhms | 0.65 V | 12.4 nC | Enhancement | ||||
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Ein Angebot |
575
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Diodes Incorporated | MOSFET 30V Dual N-Channel Enhance. Mode MOSFET | 20 V | SMD/SMT | SO-8 | - 55 C | + 150 C | Reel | 2 Channel | Si | N-Channel | 30 V | 7.1 A | 28 mOhms | Enhancement | |||||
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Ein Angebot |
73
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ON Semiconductor | MOSFET NFET D2PAK 100V 40A 30MO | 20 V | SMD/SMT | TO-263-3 | - 55 C | + 175 C | Reel | 1 Channel | Si | N-Channel | 100 V | 42 A | 28 mOhms | ||||||
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Ein Angebot |
3,181
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Toshiba | MOSFET X35PBF Power MOSFET Trans VGS10VVDS150V | 20 V | SMD/SMT | SOP-Advance-8 | - 55 C | + 150 C | Reel | 1 Channel | Si | N-Channel | 150 V | 18 A | 28 mOhms | 2 V to 4 V | 10.6 nC | Enhancement | |||
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Ein Angebot |
10,769
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ROHM Semiconductor | MOSFET Med Pwr, Sw MOSFET P Chan, -12V, 1.5A | 10 V | SMD/SMT | SOT-323T-3 | - 55 C | + 150 C | Reel | 1 Channel | Si | P-Channel | - 12 V | - 3 A | 28 mOhms | 18 nC | Enhancement | ||||
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Ein Angebot |
1,167
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Panasonic | MOSFET PCH MOS FET FLT LD 5.0x6.0mm | SMD/SMT | SOIC-8 | Reel | 1 Channel | Si | P-Channel | - 40 V | - 7 A | 28 mOhms | |||||||||
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2,069
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ROHM Semiconductor | MOSFET N-Channel Mosfet 100V, 10A, 4V gate drive | 20 V | SMD/SMT | TO-252-3 | Reel | 1 Channel | Si | N-Channel | 60 V | 15 A | 28 mOhms | 3 V | 18 nC |
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