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6 Produkt
| Bild | Modell | Preis | Anzahl | Lager | Hersteller | Beschreibung | Vgs - Gate-Source Voltage | Mounting Style | Package / Case | Minimum Operating Temperature | Maximum Operating Temperature | Packaging | Number of Channels | Technology | Transistor Polarity | Vds - Drain-Source Breakdown Voltage | Id - Continuous Drain Current | Rds On - Drain-Source Resistance | Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage | Qg - Gate Charge | Channel Mode | Tradename | |
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Ein Angebot |
4,066
Verfügbar auf Lager
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Nexperia | MOSFET Trans MOSFET N-CH 40V 75A 5-Pin | 20 V | SMD/SMT | LFPAK56-5 | - 55 C | + 150 C | Reel | 1 Channel | Si | N-Channel | 150 V | 43 A | 59 mOhms | Enhancement | |||||
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Ein Angebot |
748
Verfügbar auf Lager
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Fairchild Semiconductor | MOSFET 200V3.9A 70OHMNCH ULTRAFET TRENCH | 20 V | SMD/SMT | SO-8 | - 55 C | + 150 C | Reel | 1 Channel | Si | N-Channel | 200 V | 3.9 A | 59 mOhms | 33 nC | UltraFET | ||||
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Ein Angebot |
11,659
Verfügbar auf Lager
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ON Semiconductor | MOSFET PCH 4V DRIVE SERIES | SOT-26-6 | Reel | 1 Channel | Si | P-Channel | - 30 V | - 5 A | 59 mOhms | ||||||||||
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Ein Angebot |
2,660
Verfügbar auf Lager
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Nexperia | MOSFET 12V P-channel Trench MOSFET | 8 V | SMD/SMT | DFN1010D-3 | - 55 C | + 150 C | Reel | 1 Channel | Si | P-Channel | - 12 V | - 3.2 A | 59 mOhms | - 1 V | 12 nC | Enhancement | |||
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Ein Angebot |
2,410
Verfügbar auf Lager
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ON Semiconductor | MOSFET SWITCHING DEVICE | SMD/SMT | ECH-8 | Reel | Si | N-Channel | 35 V | 4.5 A | 59 mOhms | ||||||||||
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Ein Angebot |
2,798
Verfügbar auf Lager
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ON Semiconductor | MOSFET PCH 4V DRIVE SERIES | SMD/SMT | SOT-363-6 | Reel | 1 Channel | Si | P-Channel | - 30 V | - 5 A | 59 mOhms |
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