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16 Produkt
Bild | Modell | Preis | Anzahl | Lager | Hersteller | Beschreibung | Vgs - Gate-Source Voltage | Mounting Style | Package / Case | Minimum Operating Temperature | Maximum Operating Temperature | Packaging | Number of Channels | Technology | Transistor Polarity | Vds - Drain-Source Breakdown Voltage | Id - Continuous Drain Current | Rds On - Drain-Source Resistance | Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage | Qg - Gate Charge | Channel Mode | Tradename | |
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Ein Angebot |
9,552
Verfügbar auf Lager
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Infineon Technologies | MOSFET N-Ch 40V 85A TDSON-8 OptiMOS 3 | 20 V | SMD/SMT | TDSON-8 | - 55 C | + 150 C | Reel | 1 Channel | Si | N-Channel | 40 V | 85 A | 4.2 mOhms | 1.2 V | 47 nC | Enhancement | OptiMOS | |||
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Ein Angebot |
7,239
Verfügbar auf Lager
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Infineon Technologies | MOSFET 60V StrongIRFET Power Mosfet | 20 V | SMD/SMT | PQFN-8 | - 55 C | + 150 C | Reel | 1 Channel | Si | N-Channel | 60 V | 85 A | 6 mOhms | 3.7 V | 73 nC | StrongIRFET | ||||
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Ein Angebot |
2,086
Verfügbar auf Lager
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Nexperia | MOSFET N-channel TrenchMOS logic level FET | 15 V | SMD/SMT | LFPAK56-5 | - 55 C | + 175 C | Reel | 1 Channel | Si | N-Channel | 100 V | 85 A | 9.5 mOhms | 1.7 V | 64 nC | Enhancement | ||||
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Ein Angebot |
2,134
Verfügbar auf Lager
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Infineon Technologies | MOSFET N-Ch 40V 85A TDSON-8 OptiMOS 3 | 20 V | SMD/SMT | TDSON-8 | - 55 C | + 150 C | Reel | 1 Channel | Si | N-Channel | 40 V | 85 A | 4.2 mOhms | 1.2 V | 47 nC | Enhancement | OptiMOS | |||
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Ein Angebot |
185
Verfügbar auf Lager
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Fairchild Semiconductor | MOSFET NCH 75V 8.8Mohm | 20 V | SMD/SMT | TO-263-3 | - 55 C | + 175 C | Reel | 1 Channel | Si | N-Channel | 75 V | 85 A | 7.3 mOhms | Enhancement | PowerTrench | |||||
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Ein Angebot |
106
Verfügbar auf Lager
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Infineon / IR | MOSFET MOSFT 100V 96A 10mOhm 120nC Qg | 30 V | SMD/SMT | TO-263-3 | - 55 C | + 175 C | Reel | 1 Channel | Si | N-Channel | 150 V | 85 A | 12 mOhms | 5 V | 110 nC | |||||
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Ein Angebot |
862
Verfügbar auf Lager
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Nexperia | MOSFET N-channel 100 V 12 mo FET | 20 V | SMD/SMT | LFPAK56-5 | - 55 C | + 175 C | Reel | 1 Channel | Si | N-Channel | 100 V | 85 A | 8.1 mOhms | 3 V | 68 nC | |||||
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Ein Angebot |
522
Verfügbar auf Lager
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Infineon Technologies | MOSFET MOSFT 55V 84A 11mOhm 80nC | 20 V | SMD/SMT | TO-252-3 | - 55 C | + 175 C | Reel | 1 Channel | Si | N-Channel | 55 V | 85 A | 11 mOhms | 4 V | 120 nC | |||||
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Ein Angebot |
1,425
Verfügbar auf Lager
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ON Semiconductor | MOSFET T6 40V NCH LL IN U8FL | 20 V | SMD/SMT | WDFN-8 | - 55 C | + 175 C | Reel | 1 Channel | Si | N-Channel | 40 V | 85 A | 6 mOhms | 1.2 V | 18 nC | Enhancement | ||||
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Ein Angebot |
511
Verfügbar auf Lager
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Infineon / IR | MOSFET 75V Single N-Channel HEXFET | 20 V | SMD/SMT | TO-252-3 | - 55 C | + 175 C | Reel | 1 Channel | Si | N-Channel | 75 V | 85 A | 6.7 mOhms | 3.7 V | 85 nC | StrongIRFET | ||||
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Ein Angebot |
4,090
Verfügbar auf Lager
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Toshiba | MOSFET U-MOSVIII-H 60V 85A 49nC MOSFET | 20 V | SMD/SMT | SOP-Advance-8 | - 55 C | + 150 C | Reel | 1 Channel | Si | N-Channel | 60 V | 85 A | 3.8 mOhms | 2 V to 4 V | 49 nC | Enhancement | ||||
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Ein Angebot |
2,500
Verfügbar auf Lager
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ON Semiconductor | MOSFET NFET DPAK 40V 85A 5.7 MOHM | 20 V | SMD/SMT | TO-252-3 | - 55 C | + 175 C | Reel | 1 Channel | Si | N-Channel | 40 V | 85 A | 5.7 mOhms | 3.5 V | 51 nC | |||||
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Ein Angebot |
800
Verfügbar auf Lager
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Infineon / IR | MOSFET 150V 1 N-CH HEXFET 15mOhms 71nC | 30 V | SMD/SMT | TO-263-3 | - 55 C | + 175 C | Reel | 1 Channel | Si | N-Channel | 150 V | 85 A | 15 mOhms | 5 V | 71 nC | Enhancement | ||||
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siehe | Vishay Semiconductors | MOSFET 150V 85A 375W AEC-Q101 Qualified | +/- 20 V | SMD/SMT | TO-263-3 | - 55 C | + 175 C | Reel | 1 Channel | Si | N-Channel | 150 V | 85 A | 0.016 Ohms | 2.5 V | 120 nC | Enhancement | TrenchFET | ||||
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siehe | ON Semiconductor | MOSFET 30V N-CH TRENCH 2.6 S0-8FL | SMD/SMT | SO-FL-8 | Reel | 1 Channel | Si | N-Channel | 30 V | 85 A | 4.1 mOhms | |||||||||||
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siehe | Toshiba | MOSFET N-Ch 30V 2230pF 40nC 2.5mOhm 85A 35W | 20 V | SMD/SMT | TSON-Advance-8 | - 55 C | + 150 C | Reel | 1 Channel | Si | N-Channel | 30 V | 85 A | 2.1 mOhms | 1.3 V to 2.3 V | 40 nC | Enhancement |
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