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| Bild | Modell | Preis | Anzahl | Lager | Hersteller | Beschreibung | Vgs - Gate-Source Voltage | Mounting Style | Package / Case | Packaging | Number of Channels | Technology | Transistor Polarity | Vds - Drain-Source Breakdown Voltage | Id - Continuous Drain Current | Rds On - Drain-Source Resistance | Qg - Gate Charge | |
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Ein Angebot |
3,436
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Infineon / IR | MOSFET 1 P-CH -30V HEXFET 7.7mOhms 11nC | 20 V | SMD/SMT | PQFN-8 | Reel | 1 Channel | Si | P-Channel | - 30 V | - 21 A | 4.6 mOhms | 165 nC |
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