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1 Produkt
| Bild | Modell | Preis | Anzahl | Lager | Hersteller | Beschreibung | Mounting Style | Package / Case | Packaging | Number of Channels | Technology | Transistor Polarity | Vds - Drain-Source Breakdown Voltage | Id - Continuous Drain Current | Rds On - Drain-Source Resistance | |
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siehe | Nexperia | MOSFET N-chan TrenchMOS FET | SMD/SMT | TO-263-7 | Reel | 1 Channel | Si | N-Channel | 75 V | 181 A | 3.4 mOhms |
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