- Hersteller :
- Package / Case :
- Rds On - Drain-Source Resistance :
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4 Produkt
| Bild | Modell | Preis | Anzahl | Lager | Hersteller | Beschreibung | Vgs - Gate-Source Voltage | Mounting Style | Package / Case | Minimum Operating Temperature | Maximum Operating Temperature | Packaging | Number of Channels | Technology | Transistor Polarity | Vds - Drain-Source Breakdown Voltage | Id - Continuous Drain Current | Rds On - Drain-Source Resistance | Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage | Qg - Gate Charge | Channel Mode | Tradename | |
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Ein Angebot |
2,102
Verfügbar auf Lager
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Fairchild Semiconductor | MOSFET 600V N-Channel MOSFET | 30 V | SMD/SMT | TO-252-3 | - 55 C | + 150 C | Reel | 1 Channel | Si | N-Channel | 650 V | 10.2 A | 380 mOhms | 3.5 V | 34 nC | SuperFET II | |||
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Ein Angebot |
2,773
Verfügbar auf Lager
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Fairchild Semiconductor | MOSFET 30V N-Ch PowerTrench MOSFET | 20 V | SMD/SMT | SO-8 | - 55 C | + 150 C | Reel | 1 Channel | Si | N-Channel | 30 V | 10.2 A | 14 mOhms | Enhancement | PowerTrench | ||||
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Ein Angebot |
500
Verfügbar auf Lager
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Diodes Incorporated | MOSFET 20V N Chnl UMOS | 12 V | SMD/SMT | SO-8 | - 55 C | + 150 C | Reel | 1 Channel | Si | N-Channel | 20 V | 10.2 A | 40 mOhms | Enhancement | |||||
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Ein Angebot |
27,500
Verfügbar auf Lager
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Fairchild Semiconductor | MOSFET 30V N-CHAN 10.2A | SMD/SMT | SO-8 | - 55 C | + 150 C | Reel | 1 Channel | Si | N-Channel | 30 V | 10.2 A | 14 mOhms |
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