- Mounting Style :
- Package / Case :
- Maximum Operating Temperature :
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10 Produkt
Bild | Modell | Preis | Anzahl | Lager | Hersteller | Beschreibung | Vgs - Gate-Source Voltage | Mounting Style | Package / Case | Minimum Operating Temperature | Maximum Operating Temperature | Packaging | Number of Channels | Technology | Transistor Polarity | Vds - Drain-Source Breakdown Voltage | Id - Continuous Drain Current | Rds On - Drain-Source Resistance | Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage | Qg - Gate Charge | Channel Mode | |
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Ein Angebot |
6,581
Verfügbar auf Lager
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Infineon / IR | MOSFET MOSFT 30V 21A 3.3mOhm 30nC Qg | 20 V | SMD/SMT | SO-8 | Reel | 1 Channel | Si | N-Channel | 30 V | 21 A | 4.5 mOhms | 30 nC | |||||||
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Ein Angebot |
5,579
Verfügbar auf Lager
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Infineon / IR | MOSFET MOSFT 30V 21A 3.5mOhm 20nC Qg | 20 V | SMD/SMT | SO-8 | Reel | 1 Channel | Si | N-Channel | 30 V | 21 A | 5.1 mOhms | 20 nC | |||||||
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Ein Angebot |
3,258
Verfügbar auf Lager
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Infineon / IR | MOSFET 60VAUTO GRADE 1 N-CH HEXFET 36mOhms | 20 V | SMD/SMT | DirectFET-SB | - 55 C | + 175 C | Reel | 1 Channel | Si | N-Channel | 60 V | 21 A | 36 mOhms | 7.3 nC | Enhancement | ||||
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Ein Angebot |
3,204
Verfügbar auf Lager
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Infineon / IR | MOSFET MOSFT 150V 21A 82mOhm 63.3nC | SMD/SMT | TO-252-3 | + 175 C | Reel | 1 Channel | Si | N-Channel | 150 V | 21 A | 82 mOhms | 4 V | 95 nC | ||||||
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Ein Angebot |
1,317
Verfügbar auf Lager
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Infineon / IR | MOSFET MOSFT 30V 21A 3.6mOhm 40nC | 12 V | SMD/SMT | SO-8 | Reel | 1 Channel | Si | N-Channel | 30 V | 21 A | 4.4 mOhms | 40 nC | |||||||
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Ein Angebot |
1,679
Verfügbar auf Lager
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Infineon / IR | MOSFET MOSFET, 30V, 25A, 4 4.7nC Qg, PQFN5x6 | 20 V | SMD/SMT | PQFN-8 | - 55 C | + 150 C | Reel | 1 Channel | Si | N-Channel | 30 V | 21 A | 4.9 mOhms | 1.7 V | 39 nC | ||||
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Ein Angebot |
2,349
Verfügbar auf Lager
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Infineon / IR | MOSFET 150V 1 N-CH HEXFET 82mOhms 63.3nC | 20 V | SMD/SMT | TO-252-3 | - 55 C | + 175 C | Tube | 1 Channel | Si | N-Channel | 150 V | 21 A | 82 mOhms | 4 V | 95 nC | ||||
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Ein Angebot |
124
Verfügbar auf Lager
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Infineon / IR | MOSFET 30V 1 N-CH HEXFET 3.6mOhms 40nC | 12 V | SMD/SMT | SO-8 | - 55 C | + 150 C | Tube | 1 Channel | Si | N-Channel | 30 V | 21 A | 4.4 mOhms | 40 nC | Enhancement | ||||
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Ein Angebot |
54
Verfügbar auf Lager
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Infineon / IR | MOSFET Automotive MOSFET 55m, 23nC Qg | Through Hole | TO-220-3 | Tube | Si | N-Channel | 55 V | 21 A | 40 mOhms | 23 nC | |||||||||
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siehe | Infineon / IR | MOSFET 150V, 21A, 82 mOhm Automotive MOSFET | SMD/SMT | TO-252-3 | + 175 C | Reel | Si | N-Channel | 150 V | 21 A | 82 mOhms | 95 nC |
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