- Rds On - Drain-Source Resistance :
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3 Produkt
| Bild | Modell | Preis | Anzahl | Lager | Hersteller | Beschreibung | Vgs - Gate-Source Voltage | Mounting Style | Package / Case | Packaging | Number of Channels | Technology | Transistor Polarity | Vds - Drain-Source Breakdown Voltage | Id - Continuous Drain Current | Rds On - Drain-Source Resistance | Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage | Qg - Gate Charge | Channel Mode | |
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Ein Angebot |
2,285
Verfügbar auf Lager
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Toshiba | MOSFET N-Ch 60V 21A 18W UMOSVIII 710pF 12nC | 20 V | SMD/SMT | TSON-Advance-8 | Reel | 1 Channel | Si | N-Channel | 60 V | 21 A | 18 mOhms | 2 V to 4 V | 12 nC | Enhancement | ||
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Ein Angebot |
26
Verfügbar auf Lager
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Toshiba | MOSFET N-Ch 100V 21A 27W UMOSVIII 680pF 11nC | 20 V | SMD/SMT | TSON-Advance-8 | Reel | 1 Channel | Si | N-Channel | 100 V | 21 A | 28 mOhms | 2 V to 4 V | 11 nC | Enhancement | ||
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siehe | Toshiba | MOSFET N-Ch 33V FET 21A 32W 1900pF 27nC | SMD/SMT | TSON-Advance-8 | Reel | 1 Channel | Si | N-Channel | 33 V | 21 A | 9 mOhms | 27 nC |
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