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49 Produkt
| Bild | Modell | Preis | Anzahl | Lager | Hersteller | Beschreibung | Vgs - Gate-Source Voltage | Mounting Style | Package / Case | Minimum Operating Temperature | Maximum Operating Temperature | Packaging | Number of Channels | Technology | Transistor Polarity | Vds - Drain-Source Breakdown Voltage | Id - Continuous Drain Current | Rds On - Drain-Source Resistance | Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage | Qg - Gate Charge | Channel Mode | |
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siehe | Taiwan Semiconductor | MOSFET 500V N Channl Mosfet | Through Hole | TO-251-3 | Tube | 1 Channel | Si | N-Channel | 600 V | 6 A | 1.25 Ohms | |||||||||
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siehe | Taiwan Semiconductor | MOSFET 600V N channl Mosfet | Through Hole | TO-220-3 | Tube | 1 Channel | Si | N-Channel | 600 V | 4 A | 2.5 Ohms | |||||||||
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Ein Angebot |
2,000
Verfügbar auf Lager
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Taiwan Semiconductor | MOSFET 800V 10A N Channel Power Mosfet | Through Hole | TO-220-3 | Tube | 1 Channel | Si | N-Channel | 800 V | 9.5 A | 1.05 Ohms | ||||||||
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Ein Angebot |
2,000
Verfügbar auf Lager
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Taiwan Semiconductor | MOSFET 600V, 18A, Single N- Channel Power MOSFET | Tube | Si | |||||||||||||||
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Ein Angebot |
2,000
Verfügbar auf Lager
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Taiwan Semiconductor | MOSFET 700V 8A N-Channel Power MOSFET, | Tube | Si | |||||||||||||||
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Ein Angebot |
4,000
Verfügbar auf Lager
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Taiwan Semiconductor | MOSFET 800V, 5.5A, Single N Channel Power MOSFET | Tube | Si | |||||||||||||||
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Ein Angebot |
2,000
Verfügbar auf Lager
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Taiwan Semiconductor | MOSFET Power MOSFET, N-CHAN 700V, 4.5A, 900mOhm | 30 V | Through Hole | TO-220-3 | Tube | 1 Channel | Si | N-Channel | 700 V | 900 mOhms | 4 V | 9.7 nC | ||||||
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Ein Angebot |
33
Verfügbar auf Lager
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Taiwan Semiconductor | MOSFET 600V Power MOSFET Superjunction N-chan | 30 V | Through Hole | TO-220-3 | - 55 C | + 150 C | Tube | 1 Channel | Si | N-Channel | 600 V | 18 A | 170 mOhms | 2 V | 31 nC | Enhancement | ||
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Ein Angebot |
75
Verfügbar auf Lager
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Taiwan Semiconductor | MOSFET Power MOSFET, N-CHAN 600V, 8A, 600mOhm | TO-252-3 | Tube | Si | ||||||||||||||
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Ein Angebot |
3
Verfügbar auf Lager
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Taiwan Semiconductor | MOSFET 700V Power MOSFET Superjunction N-chan | 30 V | Through Hole | ITO-220-3 | - 55 C | + 150 C | Tube | 1 Channel | Si | N-Channel | 700 V | 11 A | 330 mOhms | 2 V | 18.8 nC | Enhancement | ||
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Ein Angebot |
100
Verfügbar auf Lager
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Taiwan Semiconductor | MOSFET Power MOSFET, N-CHAN 600V, 8A, 600mOhm | TO-251-3 | Tube | Si | ||||||||||||||
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Ein Angebot |
90
Verfügbar auf Lager
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Taiwan Semiconductor | MOSFET Power MOSFET, N-CHAN 600V, 4.5A, 900mOhm | 30 V | Through Hole | ITO-220-3 | - 55 C | + 150 C | Tube | 1 Channel | Si | N-Channel | 600 V | 4.5 A | 720 mOhms | 2 V | 9.7 nC | Enhancement | ||
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Ein Angebot |
85
Verfügbar auf Lager
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Taiwan Semiconductor | MOSFET Power MOSFET, N-CHAN 100V, 160A, 5.5mOhm | TO-220-3 | Tube | Si | ||||||||||||||
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Ein Angebot |
100
Verfügbar auf Lager
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Taiwan Semiconductor | MOSFET 600V Power MOSFET Superjunction N-chan | 30 V | Through Hole | ITO-220-3 | - 55 C | + 150 C | Tube | 1 Channel | Si | N-Channel | 600 V | 13 A | 190 mOhms | 2 V | 30 nC | Enhancement | ||
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Ein Angebot |
100
Verfügbar auf Lager
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Taiwan Semiconductor | MOSFET 700V Power MOSFET Superjunction N-chan | TO-251-3 | Tube | Si | ||||||||||||||
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Ein Angebot |
100
Verfügbar auf Lager
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Taiwan Semiconductor | MOSFET Power MOSFET, N-CHAN 600V, 4.5A, 900mOhm | TO-251-3 | Tube | Si | ||||||||||||||
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Ein Angebot |
100
Verfügbar auf Lager
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Taiwan Semiconductor | MOSFET 700V Power MOSFET Superjunction N-chan | TO-251-3 | Tube | Si | ||||||||||||||
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Ein Angebot |
99
Verfügbar auf Lager
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Taiwan Semiconductor | MOSFET 800V Power MOSFET Superjunction N-chan | TO-251-3 | Tube | Si | ||||||||||||||
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Ein Angebot |
82
Verfügbar auf Lager
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Taiwan Semiconductor | MOSFET Power MOSFET, N-CHAN 600V, 3.3A, 1400mOhm | TO-251-3 | Tube | Si | ||||||||||||||
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siehe | Taiwan Semiconductor | MOSFET 100V N Channel Power Mosfet | Through Hole | TO-220-3 | Tube | 1 Channel | Si | N-Channel | 100 V | 160 A | 5.5 mOhms | |||||||||
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siehe | Taiwan Semiconductor | MOSFET 600V 1A N Channel Mosfet | TO-251-3 | Tube | Si | |||||||||||||||
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siehe | Taiwan Semiconductor | MOSFET 800V 7A N Channel Power Mosfet | Through Hole | TO-220-3 | Tube | 1 Channel | Si | N-Channel | 700 V | 8 A | 900 mOhms | |||||||||
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siehe | Taiwan Semiconductor | MOSFET 900V 4A N Channel Power Mosfet | ITO-220-3 | Tube | Si | |||||||||||||||
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siehe | Taiwan Semiconductor | MOSFET 900V 2.5A N Channel Power Mosfet | TO-251-3 | Tube | Si | |||||||||||||||
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siehe | Taiwan Semiconductor | MOSFET 800V 10A N Channel Mosfet | Through Hole | TO-220-3 | Tube | 1 Channel | Si | N-Channel | 800 V | 9.5 A | 1.05 Ohms | |||||||||
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siehe | Taiwan Semiconductor | MOSFET 800V 8A N Channel Power Mosfet | ITO-220-3 | Tube | Si | |||||||||||||||
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siehe | Taiwan Semiconductor | MOSFET 600V 2A N Channel Mosfet | TO-251-3 | Tube | Si | |||||||||||||||
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siehe | Taiwan Semiconductor | MOSFET 900V 7A N Channel Power Mosfet | ITO-220-3 | Tube | Si | |||||||||||||||
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siehe | Taiwan Semiconductor | MOSFET 800V 4A N Channel Power Mosfet | ITO-220-3 | Tube | Si | |||||||||||||||
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siehe | Taiwan Semiconductor | MOSFET 600V N channl Mosfet | Through Hole | TO-251-3 | Tube | 1 Channel | Si | N-Channel | 600 V | 4 A | 2.5 Ohms |
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