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33 Produkt
Bild | Modell | Preis | Anzahl | Lager | Hersteller | Beschreibung | Vgs - Gate-Source Voltage | Mounting Style | Package / Case | Minimum Operating Temperature | Maximum Operating Temperature | Packaging | Number of Channels | Technology | Transistor Polarity | Vds - Drain-Source Breakdown Voltage | Id - Continuous Drain Current | Rds On - Drain-Source Resistance | Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage | Qg - Gate Charge | Channel Mode | Tradename | |
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Ein Angebot |
435
Verfügbar auf Lager
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Infineon Technologies | MOSFET | +/- 20 V | Through Hole | TO-220FP-3 | - 55 C | + 150 C | 1 Channel | Si | N-Channel | 600 V | 18 A | 0.145 Ohms | 3 V | 25 nC | Enhancement | CoolMOS | ||||
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Ein Angebot |
56,155
Verfügbar auf Lager
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Infineon Technologies | MOSFET N-Ch 80V 55A TDSON-8 OptiMOS 3 | 20 V | SMD/SMT | TDSON-8 | - 55 C | + 150 C | Reel | 1 Channel | Si | N-Channel | 80 V | 55 A | 10.3 mOhms | 2 V | 25 nC | Enhancement | OptiMOS | |||
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Ein Angebot |
22,670
Verfügbar auf Lager
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Infineon Technologies | MOSFET N-Ch 80V 40A TSDSON-8 OptiMOS 3 | 20 V | SMD/SMT | TSDSON-8 | - 55 C | + 150 C | Reel | 1 Channel | Si | N-Channel | 80 V | 40 A | 10.3 mOhms | 2 V | 25 nC | Enhancement | OptiMOS | |||
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Ein Angebot |
23,565
Verfügbar auf Lager
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Infineon Technologies | MOSFET N-Ch 100V 42A TDSON-8 OptiMOS 3 | 20 V | SMD/SMT | TDSON-8 | - 55 C | + 150 C | Reel | 1 Channel | Si | N-Channel | 100 V | 42 A | 13.9 mOhms | 2 V | 25 nC | Enhancement | OptiMOS | |||
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Ein Angebot |
11,388
Verfügbar auf Lager
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Infineon Technologies | MOSFET N-Ch 100V 40A TSDSON-8 OptiMOS 3 | 20 V | SMD/SMT | TSDSON-8 | - 55 C | + 150 C | Reel | 1 Channel | Si | N-Channel | 100 V | 40 A | 14 mOhms | 2 V | 25 nC | Enhancement | OptiMOS | |||
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Ein Angebot |
5,529
Verfügbar auf Lager
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Infineon Technologies | MOSFET N-Ch 100V 42A TDSON-8 OptiMOS 3 | 20 V | SMD/SMT | TDSON-8 | - 55 C | + 150 C | Reel | 1 Channel | Si | N-Channel | 100 V | 42 A | 13.9 mOhms | 2 V | 25 nC | Enhancement | OptiMOS | |||
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Ein Angebot |
2,810
Verfügbar auf Lager
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Infineon Technologies | MOSFET N-Ch 100V 40A TSDSON-8 OptiMOS 3 | 20 V | SMD/SMT | TSDSON-8 | - 55 C | + 150 C | Reel | 1 Channel | Si | N-Channel | 100 V | 40 A | 14 mOhms | 2 V | 25 nC | Enhancement | OptiMOS | |||
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Ein Angebot |
5,000
Verfügbar auf Lager
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Infineon Technologies | MOSFET N-Ch 80V 40A TSDSON-8 OptiMOS 3 | 20 V | SMD/SMT | TSDSON-8 | - 55 C | + 150 C | Reel | 1 Channel | Si | N-Channel | 80 V | 40 A | 10.3 mOhms | 2 V | 25 nC | Enhancement | OptiMOS | |||
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Ein Angebot |
2,476
Verfügbar auf Lager
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Infineon Technologies | MOSFET MOSFT PCh -20V -5.3A 60mOhm 25nC | 12 V | SMD/SMT | SO-8 | Reel | 1 Channel | Si | P-Channel | - 20 V | - 5.3 A | 100 mOhms | 25 nC | ||||||||
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Ein Angebot |
1,008
Verfügbar auf Lager
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Infineon Technologies | MOSFET MOSFT PCh -40V -3.4A 112mOhm 25nC | 20 V | SMD/SMT | TSOP-6 | Reel | 1 Channel | Si | P-Channel | - 40 V | - 3.4 A | 190 mOhms | 25 nC | ||||||||
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Ein Angebot |
645
Verfügbar auf Lager
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Infineon Technologies | MOSFET 200V 1 N-CH HEXFET 78mOhms 25nC | 20 V | SMD/SMT | TO-252-3 | Tube | 1 Channel | Si | N-Channel | 200 V | 24 A | 64 mOhms | 25 nC | ||||||||
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Ein Angebot |
284
Verfügbar auf Lager
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Infineon Technologies | MOSFET 200V 1 N-CH HEXFET 235mOhms 25nC | 30 V | SMD/SMT | TO-252-3 | - 55 C | + 175 C | Tube | 1 Channel | Si | N-Channel | 200 V | 14 A | 235 mOhms | 25 nC | Enhancement | |||||
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Ein Angebot |
422
Verfügbar auf Lager
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Infineon Technologies | MOSFET N-Ch 100V 43A TO220-3 OptiMOS 3 | 20 V | Through Hole | TO-220-3 | - 55 C | + 175 C | Tube | 1 Channel | Si | N-Channel | 100 V | 43 A | 15.5 mOhms | 2 V | 25 nC | Enhancement | OptiMOS | |||
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Ein Angebot |
348
Verfügbar auf Lager
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Infineon Technologies | MOSFET 200V 1 N-CH HEXFET 78mOhms 25nC | 20 V | SMD/SMT | TO-252-3 | - 55 C | + 175 C | Tube | 1 Channel | Si | N-Channel | 200 V | 24 A | 77.5 mOhms | 3 V to 5 V | 25 nC | Enhancement | ||||
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Ein Angebot |
160
Verfügbar auf Lager
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Infineon Technologies | MOSFET Audio MOSFT 200V 25A 72.5mOhm 25nC | 20 V | Through Hole | TO-220-3 | - 55 C | + 175 C | Tube | 1 Channel | Si | N-Channel | 200 V | 25 A | 72.5 mOhms | 25 nC | Enhancement | |||||
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Ein Angebot |
644
Verfügbar auf Lager
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Infineon Technologies | MOSFET 20V 1 N-CH HEXFET 60mOhms 25nC | 12 V | SMD/SMT | SO-8 | - 55 C | + 150 C | Tube | 1 Channel | Si | P-Channel | - 20 V | - 5.3 A | 100 mOhms | 25 nC | Enhancement | |||||
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Ein Angebot |
723
Verfügbar auf Lager
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Infineon Technologies | MOSFET N-Ch 100V 43A TO220-3 OptiMOS 3 | 20 V | Through Hole | TO-220-3 | - 55 C | + 175 C | Tube | 1 Channel | Si | N-Channel | 100 V | 43 A | 15.5 mOhms | 2 V | 25 nC | Enhancement | OptiMOS | |||
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Ein Angebot |
1,982
Verfügbar auf Lager
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Infineon Technologies | MOSFET MOSFT 100V 9.1A 210mOhm 16.7nC | 20 V | SMD/SMT | TO-252-3 | - 55 C | + 175 C | Reel | 1 Channel | Si | N-Channel | 100 V | 9.4 A | 210 mOhms | 4 V | 25 nC | |||||
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Ein Angebot |
639
Verfügbar auf Lager
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Infineon Technologies | MOSFET MOSFT 200V 13A 235mOhm 25nC | 30 V | Through Hole | TO-251-3 | - 55 C | + 175 C | Tube | 1 Channel | Si | N-Channel | 200 V | 13 A | 235 mOhms | 25 nC | Enhancement | |||||
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Ein Angebot |
240
Verfügbar auf Lager
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Infineon Technologies | MOSFET N-Ch 500V 10A TO247-3 CoolMOS CP | +/- 20 V | Through Hole | TO-247-3 | - 55 C | + 150 C | Tube | 1 Channel | Si | N-Channel | 500 V | 10 A | 320 mOhms | 2.5 V | 25 nC | Enhancement | CoolMOS | |||
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Ein Angebot |
485
Verfügbar auf Lager
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Infineon Technologies | MOSFET | +/- 20 V | SMD/SMT | VSON-4 | - 40 C | + 150 C | 1 Channel | Si | N-Channel | 600 V | 19 A | 0.149 Ohms | 3 V | 25 nC | Enhancement | CoolMOS | ||||
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Ein Angebot |
480
Verfügbar auf Lager
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Infineon Technologies | MOSFET | +/- 20 V | SMD/SMT | TO-252-3 | - 55 C | + 150 C | 1 Channel | Si | N-Channel | 600 V | 18 A | 0.145 Ohms | 3 V | 25 nC | Enhancement | CoolMOS | ||||
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Ein Angebot |
500
Verfügbar auf Lager
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Infineon Technologies | MOSFET | +/- 20 V | Through Hole | TO-220FP-3 | - 55 C | + 150 C | 1 Channel | Si | N-Channel | 600 V | 18 A | 0.145 Ohms | 3 V | 25 nC | Enhancement | CoolMOS | ||||
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Ein Angebot |
230
Verfügbar auf Lager
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Infineon Technologies | MOSFET | +/- 20 V | Through Hole | TO-247-3 | - 55 C | + 150 C | 1 Channel | Si | N-Channel | 600 V | 18 A | 0.145 Ohms | 3 V | 25 nC | Enhancement | CoolMOS | ||||
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Ein Angebot |
450
Verfügbar auf Lager
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Infineon Technologies | MOSFET | +/- 20 V | Through Hole | TO-220-3 | - 55 C | + 150 C | 1 Channel | Si | N-Channel | 600 V | 18 A | 0.145 Ohms | 3 V | 25 nC | Enhancement | CoolMOS | ||||
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Ein Angebot |
372
Verfügbar auf Lager
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Infineon Technologies | MOSFET N-Ch 80V 55A TDSON-8 OptiMOS 3 | 20 V | SMD/SMT | TDSON-8 | - 55 C | + 150 C | Reel | 1 Channel | Si | N-Channel | 80 V | 55 A | 10.3 mOhms | 2 V | 25 nC | Enhancement | OptiMOS | |||
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Ein Angebot |
60
Verfügbar auf Lager
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Infineon Technologies | MOSFET MOSFT 200V 25A 72.5mOhm 25nC Qg | 20 V | Through Hole | TO-220-3 | - 55 C | + 175 C | Tube | 1 Channel | Si | N-Channel | 200 V | 25 A | 72.5 mOhms | 25 nC | Enhancement | |||||
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siehe | Infineon Technologies | MOSFET AUTO 200V 1 N-CH HEXFET 78mOhms | 20 V | SMD/SMT | TO-252-3 | Tube | 1 Channel | Si | N-Channel | 200 V | 24 A | 78 mOhms | 25 nC | |||||||||
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siehe | Infineon Technologies | MOSFET AUTO 200V 1 N-CH HEXFET 78mOhms | 20 V | SMD/SMT | TO-252-3 | Reel | 1 Channel | Si | N-Channel | 200 V | 24 A | 78 mOhms | 25 nC | |||||||||
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siehe | Infineon Technologies | MOSFET N-Ch 500V 10A TO247-3 CoolMOS CP | +/- 20 V | Through Hole | TO-247-3 | - 55 C | + 150 C | Tube | 1 Channel | Si | N-Channel | 500 V | 10 A | 320 mOhms | 2.5 V | 25 nC | Enhancement | CoolMOS |
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