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Bild Modell Preis Anzahl Lager Hersteller Beschreibung Package / Case Packaging Pd - Power Dissipation Configuration Transistor Polarity Vds - Drain-Source Breakdown Voltage Id - Continuous Drain Current Rds On - Drain-Source Resistance Vgs - Gate-Source Breakdown Voltage Drain-Source Current at Vgs=0
EC3A04B-3-TL-H
siehe
RFQ
ON Semiconductor JFET LOW-FREQUENCY AMPLIFIER ECSP-1006-3 Reel 100 mW Single N-Channel 30 V 10 mA 200 Ohms - 30 V 3 mA