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| Bild | Modell | Preis | Anzahl | Lager | Hersteller | Beschreibung | Mounting Style | Package / Case | Maximum Operating Temperature | Series | Packaging | Pd - Power Dissipation | Transistor Polarity | Vds - Drain-Source Breakdown Voltage | Rds On - Drain-Source Resistance | Drain-Source Current at Vgs=0 | |
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Ein Angebot |
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Central Semiconductor | JFET Leaded JFET | Through Hole | TO-18 | + 200 C | 2N4856 | Bulk | 360 mW | N-Channel | 40 V | 25 Ohms | 50 mA |
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