- Collector- Emitter Voltage VCEO Max :
- Ausgewählter Filter :
4 Produkt
Bild | Modell | Preis | Anzahl | Lager | Hersteller | Beschreibung | Mounting Style | Package / Case | Maximum Operating Temperature | Packaging | Pd - Power Dissipation | Configuration | Collector- Emitter Voltage VCEO Max | Collector-Emitter Saturation Voltage | Continuous Collector Current at 25 C | Gate-Emitter Leakage Current | Maximum Gate Emitter Voltage | |
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
Ein Angebot |
279
Verfügbar auf Lager
|
Infineon Technologies | IGBT Transistors IGBT PRODUCTS | Through Hole | TO-247-3 | + 175 C | Tube | 429 W | Single | 1200 V | 1.9 V | 80 A | 100 nA | 20 V | |||
|
Ein Angebot |
102
Verfügbar auf Lager
|
Infineon Technologies | IGBT Transistors IGBT PRODUCTS TrenchStop RC | Through Hole | TO-247-3 | + 175 C | Tube | 429 W | Single | 1200 V | 1.9 V | 80 A | 100 nA | 20 V | |||
|
Ein Angebot |
240
Verfügbar auf Lager
|
Infineon Technologies | IGBT Transistors IGBT PRODUCTS | Through Hole | TO-247-3 | + 175 C | Tube | 429 W | Single | 1350 V | 2 V | 80 A | 100 nA | 20 V | |||
|
siehe | Infineon Technologies | IGBT Transistors IGBT PRODUCTS TrenchStop RC | Through Hole | TO-247-3 | + 175 C | Tube | 429 W | Single | 1350 V | 2 V | 80 A | 100 nA | 20 V |
1 / 1 Seite