- Collector- Emitter Voltage VCEO Max :
- Gate-Emitter Leakage Current :
- Ausgewählter Filter :
3 Produkt
Bild | Modell | Preis | Anzahl | Lager | Hersteller | Beschreibung | Mounting Style | Package / Case | Maximum Operating Temperature | Packaging | Pd - Power Dissipation | Configuration | Collector- Emitter Voltage VCEO Max | Collector-Emitter Saturation Voltage | Continuous Collector Current at 25 C | Gate-Emitter Leakage Current | Maximum Gate Emitter Voltage | |
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
Ein Angebot |
42
Verfügbar auf Lager
|
IXYS | IGBT Transistors 30 Amps 1200V | Through Hole | ISOPLUS247-3 | + 150 C | Tube | 200 W | Single | 1.2 kV | 2.4 V | 50 A | 500 nA | +/- 20 V | |||
|
Ein Angebot |
12
Verfügbar auf Lager
|
IXYS | IGBT Transistors 17 Amps 1700V 5.2 Rds | Through Hole | ISOPLUS247-3 | + 150 C | Tube | 200 W | Single | 1.7 kV | 4.2 V | 26 A | 100 nA | +/- 20 V | |||
|
Ein Angebot |
19
Verfügbar auf Lager
|
IXYS | IGBT Transistors 30 Amps 1200V | Through Hole | ISOPLUS247-3 | + 150 C | Tube | 200 W | Single | 1.2 kV | 2.4 V | 50 A | 500 nA | +/- 20 V |
1 / 1 Seite