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Collector-Emitter Saturation Voltage :
Maximum Gate Emitter Voltage :
3 Produkt
Bild Modell Preis Anzahl Lager Hersteller Beschreibung Mounting Style Package / Case Maximum Operating Temperature Packaging Pd - Power Dissipation Configuration Collector- Emitter Voltage VCEO Max Collector-Emitter Saturation Voltage Continuous Collector Current at 25 C Gate-Emitter Leakage Current Maximum Gate Emitter Voltage
IGW30N60TPXKSA1
1+
$1.1080
10+
$0.9440
100+
$0.8200
250+
$0.7760
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RFQ
125
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Infineon Technologies IGBT Transistors IGBT PRODUCTS Through Hole TO-247-3 + 175 C Tube 200 W Single 600 V 1.6 V 53 A 100 nA +/- 20 V
IKW30N60DTPXKSA1
1+
$1.3760
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100+
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250+
$0.9640
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61
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Infineon Technologies IGBT Transistors IGBT PRODUCTS Through Hole TO-247-3 + 175 C Tube 200 W Single 600 V 1.6 V 53 A 100 nA +/- 20 V
IRGP6640D-EPBF
1+
$2.1160
10+
$1.8000
25+
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100+
$1.5600
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RFQ
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Infineon / IR IGBT Transistors 600V UltraFast IGBT TO-247 Through Hole TO-247AD-3 + 175 C Tube 200 W Single 600 V 1.65 V 53 A 100 nA 20 V