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| Bild | Modell | Preis | Anzahl | Lager | Hersteller | Beschreibung | Mounting Style | Package / Case | Maximum Operating Temperature | Packaging | Pd - Power Dissipation | Configuration | Collector- Emitter Voltage VCEO Max | Collector-Emitter Saturation Voltage | Continuous Collector Current at 25 C | Gate-Emitter Leakage Current | Maximum Gate Emitter Voltage | |
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Ein Angebot |
201
Verfügbar auf Lager
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ON Semiconductor | IGBT Transistors 1200V/40A RC IGBT FSII | Through Hole | TO-247 | + 175 C | Tube | 384 W | Single | 1200 V | 2.3 V | 80 A | 100 nA | 25 V |
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