IGBT Transistors - Inix Electronic

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Modell	Preis	Anzahl		Lager	Hersteller	Beschreibung	Mounting Style	Package / Case	Maximum Operating Temperature	Packaging	Pd - Power Dissipation	Configuration	Collector- Emitter Voltage VCEO Max	Collector-Emitter Saturation Voltage	Continuous Collector Current at 25 C	Gate-Emitter Leakage Current	Maximum Gate Emitter Voltage
IXA45IF1200HB	1+ $4.1800 10+ $3.7760 25+ $3.6000 100+ $3.1280	Ein Angebot	PDF RFQ	90 Verfügbar auf Lager	IXYS	IGBT Transistors N-Channel: Power MOSFET w/Fast Diode	Through Hole	TO-247-3	+ 150 C	Tube	325 W	Single	1200 V	1.8 V	78 A	500 nA	20 V
IRGP4263DPBF	1+ $3.3960 10+ $3.0680 25+ $2.9240 50+ $2.7240	Ein Angebot	PDF RFQ	130 Verfügbar auf Lager	Infineon / IR	IGBT Transistors 650V Lo VCEon Trench Co-Pack IGBT	Through Hole	TO-247AC-3	+ 175 C	Tube	325 W	Single	650 V	1.7 V	90 A	100 nA	20 V
IRGP4760D-EPBF	1+ $3.0160 10+ $2.7240 25+ $2.6000 100+ $2.2560	Ein Angebot	PDF RFQ	15 Verfügbar auf Lager	Infineon / IR	IGBT Transistors IGBT DISCRETES	Through Hole	TO-247AD-3	+ 175 C	Tube	325 W	Single	650 V	1.7 V	90 A	+/- 100 nA	+/- 20 V