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| Bild | Modell | Preis | Anzahl | Lager | Hersteller | Beschreibung | Mounting Style | Package / Case | Maximum Operating Temperature | Pd - Power Dissipation | Configuration | Collector- Emitter Voltage VCEO Max | Collector-Emitter Saturation Voltage | Continuous Collector Current at 25 C | Gate-Emitter Leakage Current | Maximum Gate Emitter Voltage | |
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IXYS | IGBT Transistors High Voltage High Gain BIMOSFET | Through Hole | ISOPLUS i4-Pak-3 | + 150 C | 357 W | Single | 3 kV | 2.7 V | 86 A | +/- 200 nA | +/- 25 V |
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