Modell	Preis	Anzahl		Lager	Hersteller	Beschreibung	Mounting Style	Package / Case	Maximum Operating Temperature	Packaging	Pd - Power Dissipation	Configuration	Collector- Emitter Voltage VCEO Max	Collector-Emitter Saturation Voltage	Continuous Collector Current at 25 C	Gate-Emitter Leakage Current	Maximum Gate Emitter Voltage
HGTG18N120BND	1+ $2.6280 10+ $2.3760 25+ $2.2680 100+ $1.9680	Ein Angebot	PDF RFQ	220 Verfügbar auf Lager	Fairchild Semiconductor	IGBT Transistors 54A 1200V N-Ch w/Ant Parallel Hyprfst Dde	Through Hole	TO-247-3	+ 150 C	Tube	390 W	Single	1200 V	2.45 V	54 A	+/- 250 nA	+/- 20 V
AUIRGP50B60PD1E	1+ $3.7360 10+ $3.3760 25+ $3.2200 50+ $3.0000	Ein Angebot	PDF RFQ	162 Verfügbar auf Lager	Infineon / IR	IGBT Transistors 600V AUTO WARP2 150KHZ COPACK IGBT	Through Hole	TO-247-3		Tube	390 W	Single	600 V	2.35 V	75 A		+/- 20 V
IRGP50B60PD1PBF	1+ $2.6280 10+ $2.2360 25+ $2.1960 100+ $1.9360	Ein Angebot	PDF RFQ	109 Verfügbar auf Lager	Infineon Technologies	IGBT Transistors 600V Warp2 150kHz	Through Hole	TO-247-3		Tube	390 W	Single	600 V	2.35 V	75 A		+/- 20 V
AUIRGP50B60PD1	1+ $3.7360 10+ $3.3760 25+ $3.2200 50+ $3.0000	Ein Angebot	PDF RFQ	42 Verfügbar auf Lager	Infineon Technologies	IGBT Transistors 600V AUTO WARP2 150KHZ COPACK IGBT	Through Hole	TO-247-3		Tube	390 W	Single	600 V	2.35 V	75 A		+/- 20 V
IRG7PH46UDPBF	1+ $4.4120 10+ $3.9880 25+ $3.8040 50+ $3.5440	Ein Angebot	PDF RFQ	50 Verfügbar auf Lager	Infineon Technologies	IGBT Transistors 1200V 108A	Through Hole	TO-247-3		Tube	390 W	Single	1.2 kV	2 V	108 A		+/- 30 V
IRG7PH46UD-EP	1+ $4.5080 10+ $4.0760 25+ $3.8840 50+ $3.6200	Ein Angebot	PDF RFQ	12 Verfügbar auf Lager	Infineon Technologies	IGBT Transistors IGBT DISCRETES	Through Hole	TO-247-3		Tube	390 W		1.2 kV	2 V	108 A
IRGP50B60PD1-EP	2500+ $1.5360	Ein Angebot siehe	PDF RFQ		Infineon Technologies	IGBT Transistors 600V Warp2 150kHz	Through Hole	TO-247AD-3		Tube	390 W	Single	600 V	2 V	75 A		+/- 20 V