- Hersteller :
- Package / Case :
- Collector- Emitter Voltage VCEO Max :
- Gate-Emitter Leakage Current :
- Maximum Gate Emitter Voltage :
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2 Produkt
Bild | Modell | Preis | Anzahl | Lager | Hersteller | Beschreibung | Mounting Style | Package / Case | Maximum Operating Temperature | Packaging | Pd - Power Dissipation | Configuration | Collector- Emitter Voltage VCEO Max | Collector-Emitter Saturation Voltage | Continuous Collector Current at 25 C | Gate-Emitter Leakage Current | Maximum Gate Emitter Voltage | |
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Ein Angebot |
396
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Fairchild Semiconductor | IGBT Transistors Dis Short Circuit Rated IGBT | Through Hole | TO-3P-3 | + 150 C | Tube | 195 W | Single | 600 V | 2.2 V | 32 A | +/- 100 nA | +/- 20 V | |||
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Ein Angebot |
60
Verfügbar auf Lager
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IXYS | IGBT Transistors XPT 1200V IGBT GenX3 XPT IGBTs | Through Hole | ISOPLUS 247-3 | + 150 C | Tube | 195 W | Single | 1200 V | 1.8 V | 58 A | 500 nA | 20 V |
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