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3 Produkt
Bild | Modell | Preis | Anzahl | Lager | Hersteller | Beschreibung | Mounting Style | Package / Case | Maximum Operating Temperature | Packaging | Pd - Power Dissipation | Configuration | Collector- Emitter Voltage VCEO Max | Collector-Emitter Saturation Voltage | Continuous Collector Current at 25 C | Gate-Emitter Leakage Current | Maximum Gate Emitter Voltage | |
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Ein Angebot |
43
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STMicroelectronics | IGBT Transistors N-Ch Clamped 20 Amp | SMD/SMT | D2PAK-3 | + 150 C | Reel | 150 W | Single | 1.8 V | 1.2 V | 20 A | 700 uA | 12 V | |||
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Ein Angebot |
386
Verfügbar auf Lager
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Littelfuse | IGBT Transistors IGBT 20A 350V N-CHANNEL | Through Hole | D2PAK-3 | + 175 C | Tube | 150 W | 390 V | 20 A | 350 uA | 15 V | |||||
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Ein Angebot |
1,438
Verfügbar auf Lager
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STMicroelectronics | IGBT Transistors 390V IGBT EAS 300mJ Internally Clamped | SMD/SMT | D2PAK-3 | + 175 C | Reel | 150 W | Single | 425 V | 1.5 V | 625 uA | 16 V |
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