- Collector- Emitter Voltage VCEO Max :
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Bild | Modell | Preis | Anzahl | Lager | Hersteller | Beschreibung | Mounting Style | Package / Case | Maximum Operating Temperature | Packaging | Pd - Power Dissipation | Configuration | Collector- Emitter Voltage VCEO Max | Collector-Emitter Saturation Voltage | Continuous Collector Current at 25 C | Gate-Emitter Leakage Current | Maximum Gate Emitter Voltage | |
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IXYS | IGBT Transistors 1200V, 12A IGBT; G Series | SMD/SMT | TO-263AA-3 | + 150 C | Tube | 100 W | Single | 1.2 kV | 2.4 V | 22 A | 100 nA | +/- 20 V | |||
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siehe | IXYS | IGBT Transistors 24 Amps 600V 2.7 Rds | SMD/SMT | TO-263AA-3 | + 150 C | Tube | Single | 600 V | +/- 20 V | ||||||||
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siehe | IXYS | IGBT Transistors 8 Amps 1000V 2.7 Rds | SMD/SMT | TO-263AA-3 | + 150 C | Tube | Single | 1000 V | +/- 20 V | ||||||||
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siehe | IXYS | IGBT Transistors 30 Amps 1000V 3.5 Rds | SMD/SMT | TO-263AA-3 | + 150 C | Tube | Single | 1000 V | +/- 20 V |
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