- Ausgewählter Filter :
1 Produkt
| Bild | Modell | Preis | Anzahl | Lager | Hersteller | Beschreibung | Mounting Style | Package / Case | Maximum Operating Temperature | Packaging | Pd - Power Dissipation | Configuration | Collector- Emitter Voltage VCEO Max | Collector-Emitter Saturation Voltage | Continuous Collector Current at 25 C | Gate-Emitter Leakage Current | Maximum Gate Emitter Voltage | |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
Ein Angebot |
32
Verfügbar auf Lager
|
STMicroelectronics | IGBT Transistors Trench gte FieldStop IGBT 650V 80A | Through Hole | Max247-3 | + 175 C | Tube | 469 W | Single | 650 V | 1.9 V | 120 A | 250 nA | +/- 20 V |
1 / 1 Seite
