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- Maximum Operating Temperature :
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5 Produkt
Bild | Modell | Preis | Anzahl | Lager | Hersteller | Beschreibung | Mounting Style | Package / Case | Maximum Operating Temperature | Packaging | Pd - Power Dissipation | Configuration | Collector- Emitter Voltage VCEO Max | Collector-Emitter Saturation Voltage | Continuous Collector Current at 25 C | Gate-Emitter Leakage Current | Maximum Gate Emitter Voltage | |
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Ein Angebot |
848
Verfügbar auf Lager
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Infineon Technologies | IGBT Transistors 600V 30AD2PAK | SMD/SMT | D-PAK-3 | + 175 C | Reel | 370 W | Single | 600 V | 1.95 V | 78 A | 100 nA | +/- 20 V | |||
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Ein Angebot |
116
Verfügbar auf Lager
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Infineon / IR | IGBT Transistors 600V AUTO ULTRAFAST 10-30 KHZ IGBT | SMD/SMT | D-PAK-3 | Tube | 370 W | Single | 600 V | 2.35 V | 78 A | +/- 20 V | |||||
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Ein Angebot |
295
Verfügbar auf Lager
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Infineon Technologies | IGBT Transistors 600V AUTO ULTRAFAST 10-30 KHZ IGBT | SMD/SMT | D-PAK-3 | Reel | 370 W | 600 V | 2.35 V | 78 A | |||||||
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Ein Angebot |
392
Verfügbar auf Lager
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Infineon Technologies | IGBT Transistors 600V ULTRAFAST 10-30 KHZ IGBT | SMD/SMT | D-PAK-3 | + 150 C | Tube | 370 W | Single | 600 V | 2.35 V | 78 A | 100 nA | +/- 20 V | |||
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siehe | Infineon / IR | IGBT Transistors 600V AUTO ULTRAFAST 10-30 KHZ IGBT | SMD/SMT | D-PAK-3 | Reel | 370 W | 600 V | 2.35 V | 78 A |
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