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Packaging :
Collector-Emitter Saturation Voltage :
Gate-Emitter Leakage Current :
4 Produkt
Bild Modell Preis Anzahl Lager Hersteller Beschreibung Mounting Style Package / Case Maximum Operating Temperature Packaging Pd - Power Dissipation Configuration Collector- Emitter Voltage VCEO Max Collector-Emitter Saturation Voltage Continuous Collector Current at 25 C Gate-Emitter Leakage Current Maximum Gate Emitter Voltage
IRG4BC30W-SPBF
1+
$0.9840
10+
$0.8360
100+
$0.6680
250+
$0.6320
Ein Angebot
RFQ
349
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Infineon Technologies IGBT Transistors 600V WARP 60-150 KHZ DISCRETE IGBT SMD/SMT D-PAK-3 + 150 C Tube 100 W Single 600 V 2.1 V 23 A 100 nA +/- 20 V
AUIRG4BC30U-S
1+
$1.2120
10+
$1.0280
100+
$0.8920
250+
$0.8440
Ein Angebot
RFQ
288
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Infineon Technologies IGBT Transistors 600V AUTO ULTRAFAST 8-60KHZ DSCRETE... SMD/SMT D-PAK-3   Tube 100 W Single 600 V 1.95 V 23 A   +/- 20 V
AUIRG4BC30USTRL
1+
$1.2120
10+
$1.0280
100+
$0.8920
250+
$0.8440
800+
$0.6360
Ein Angebot
RFQ
800
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Infineon Technologies IGBT Transistors 600V AUTO ULTRAFAST 8-60KHZ DSCRETE... SMD/SMT D-PAK-3 + 150 C Reel 100 W Single 600 V 2.52 V 23 A +/- 100 nA +/- 20 V
AUIRG4BC30USTRR
siehe
RFQ
Infineon / IR IGBT Transistors 600V AUTO ULTRAFAST 8-60KHZ DSCRETE... SMD/SMT D-PAK-3 + 150 C Reel 100 W Single 600 V 2.52 V 23 A +/- 100 nA +/- 20 V