Schaffung einer zuverlässigen Handelsplattform für globale Hersteller und Lieferanten.
Package / Case :
Pd - Power Dissipation :
Collector-Emitter Saturation Voltage :
3 Produkt
Bild Modell Preis Anzahl Lager Hersteller Beschreibung Mounting Style Package / Case Maximum Operating Temperature Packaging Pd - Power Dissipation Configuration Collector- Emitter Voltage VCEO Max Collector-Emitter Saturation Voltage Continuous Collector Current at 25 C Gate-Emitter Leakage Current Maximum Gate Emitter Voltage
FGA50N100BNTDTU
1+
$1.8520
10+
$1.5760
100+
$1.3640
250+
$1.2960
Ein Angebot
RFQ
407
Verfügbar auf Lager
Fairchild Semiconductor IGBT Transistors 600V 4 0A UFD Through Hole TO-3P-3 + 150 C Tube 156 W Single 1000 V 2.5 V   +/- 500 nA +/- 25 V
FGL60N100BNTDTU
1+
$2.5720
10+
$2.3280
25+
$2.2200
100+
$1.9280
Ein Angebot
RFQ
312
Verfügbar auf Lager
Fairchild Semiconductor IGBT Transistors HIGH POWER Through Hole TO-264-3 + 150 C Tube 180 W Single 1000 V 1.5 V 60 A +/- 500 nA +/- 25 V
FGL60N100BNTD
1+
$2.4280
10+
$2.0640
100+
$1.7920
250+
$1.7000
Ein Angebot
RFQ
352
Verfügbar auf Lager
Fairchild Semiconductor IGBT Transistors HIGH POWER Through Hole TO-264-3 + 150 C Tube 180 W Single 1000 V 1.5 V 60 A +/- 500 nA +/- 25 V