- Pd - Power Dissipation :
- Gate-Emitter Leakage Current :
- Ausgewählter Filter :
2 Produkt
| Bild | Modell | Preis | Anzahl | Lager | Hersteller | Beschreibung | Mounting Style | Package / Case | Maximum Operating Temperature | Pd - Power Dissipation | Configuration | Collector- Emitter Voltage VCEO Max | Collector-Emitter Saturation Voltage | Continuous Collector Current at 25 C | Gate-Emitter Leakage Current | Maximum Gate Emitter Voltage | |
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Ein Angebot |
8
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Vishay Semiconductors | IGBT Transistors Ic 400A Vce(On)1.30V Half Brdge Trench PT | Chassis | DIAP | + 150 C | 1.563 kW | Dual | 600 V | - | 758 A | +/- 750 nA | 20 V | ||
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Ein Angebot |
12
Verfügbar auf Lager
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Vishay Semiconductors | IGBT Transistors Ic 300A Vce(On)1.30V Half Brdge Trench PT | Chassis | DIAP | + 150 C | 1.136 kW | Dual | 600 V | - | 580 A | +/- 500 nA | 20 V |
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