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| Bild | Modell | Preis | Anzahl | Lager | Hersteller | Beschreibung | Mounting Style | Package / Case | Maximum Operating Temperature | Packaging | Pd - Power Dissipation | Configuration | Collector- Emitter Voltage VCEO Max | Collector-Emitter Saturation Voltage | Continuous Collector Current at 25 C | Gate-Emitter Leakage Current | Maximum Gate Emitter Voltage | |
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Ein Angebot |
1,000
Verfügbar auf Lager
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Infineon Technologies | IGBT Transistors LOW LOSS DuoPack 600V 10A | SMD/SMT | TO-263-3 | + 175 C | Reel | 110 W | Single | 600 V | 1.8 V | 24 A | 100 nA | 20 V | ||
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Ein Angebot |
744
Verfügbar auf Lager
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Infineon Technologies | IGBT Transistors LOW LOSS DuoPack 600V 10A | Through Hole | TO-220-3 | + 175 C | Tube | 110 W | Single | 600 V | 1.8 V | 24 A | 100 nA | 20 V | ||
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Ein Angebot |
219
Verfügbar auf Lager
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Infineon Technologies | IGBT Transistors LOW LOSS IGBT TECH 600V 10A | Through Hole | TO-220-3 | + 175 C | Tube | 110 W | Single | 600 V | 1.8 V | 24 A | 100 nA | 20 V | ||
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Ein Angebot |
500
Verfügbar auf Lager
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Infineon Technologies | IGBT Transistors LOW LOSS DuoPack 600V 10A | Through Hole | TO-220-3 | + 175 C | Tube | 110 W | Single | 600 V | 1.8 V | 24 A | 100 nA | 20 V | ||
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Ein Angebot |
500
Verfügbar auf Lager
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Infineon Technologies | IGBT Transistors LOW LOSS IGBT TECH 600V 10A | Through Hole | TO-220-3 | + 175 C | Tube | 110 W | Single | 600 V | 1.8 V | 24 A | 100 nA | 20 V | ||
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siehe | Infineon Technologies | IGBT Transistors LOW LOSS DuoPack 600V 10A | SMD/SMT | TO-263-3 | + 175 C | Reel | 110 W | Single | 600 V | 1.8 V | 24 A | 100 nA | 20 V |
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