- Package / Case :
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9 Produkt
Bild | Modell | Preis | Anzahl | Lager | Hersteller | Beschreibung | Mounting Style | Package / Case | Maximum Operating Temperature | Packaging | Pd - Power Dissipation | Configuration | Collector- Emitter Voltage VCEO Max | Collector-Emitter Saturation Voltage | Continuous Collector Current at 25 C | Gate-Emitter Leakage Current | Maximum Gate Emitter Voltage | |
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Ein Angebot |
353
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STMicroelectronics | IGBT Transistors 600V 40A High Speed Trench Gate IGBT | Through Hole | TO-247 | + 175 C | Tube | 283 W | Single | 600 V | 2.35 V | 80 A | 250 nA | 20 V | |||
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Ein Angebot |
515
Verfügbar auf Lager
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STMicroelectronics | IGBT Transistors 600V 40A trench gate field-stop IGBT | Through Hole | TO-247-3 | + 175 C | Tube | 283 W | Single | 600 V | 1.6 V | 80 A | 250 nA | 20 V | |||
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Ein Angebot |
276
Verfügbar auf Lager
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STMicroelectronics | IGBT Transistors 650V 40A Trench Gate Field-Stop IGBT | Through Hole | TO-247-3 | + 175 C | Tube | 283 W | Single | 650 V | 1.6 V | 80 A | 250 nA | 20 V | |||
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siehe | STMicroelectronics | IGBT Transistors IGBT & Power Bipolar | Through Hole | TO-247-3 | + 175 C | Tube | 283 W | Single | 1200 V | 1.85 V | 30 A | 250 nA | 20 V | ||||
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siehe | STMicroelectronics | IGBT Transistors IGBT & Power Bipolar | Through Hole | TO-247-3 | + 175 C | Tube | 283 W | Single | 1200 V | 1.85 V | 30 A | 250 nA | 20 V | ||||
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Ein Angebot |
135
Verfügbar auf Lager
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STMicroelectronics | IGBT Transistors 600V 40A High Speed Trench Gate IGBT | Through Hole | TO-3P | + 175 C | Tube | 283 W | Single | 600 V | 2.35 V | 80 A | 250 nA | 20 V | |||
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Ein Angebot |
339
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STMicroelectronics | IGBT Transistors 600V 40A trench gate field-stop IGBT | Through Hole | TO-247-3 | + 175 C | Tube | 283 W | Single | 650 V | 1.8 V | 80 A | 250 nA | 20 V | |||
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Ein Angebot |
511
Verfügbar auf Lager
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STMicroelectronics | IGBT Transistors 600V 40A High Speed Trench Gate IGBT | Through Hole | TO-247 | + 175 C | Tube | 283 W | Single | 600 V | 2.35 V | 80 A | 250 nA | 20 V | |||
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Ein Angebot |
294
Verfügbar auf Lager
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STMicroelectronics | IGBT Transistors 600V 40A High Speed Trench Gate IGBT | Through Hole | TO-3P | + 175 C | Tube | 283 W | Single | 600 V | 2.35 V | 80 A | 250 nA | 20 V |
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