- Mounting Style :
- Package / Case :
- Maximum Operating Temperature :
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13 Produkt
Bild | Modell | Preis | Anzahl | Lager | Hersteller | Beschreibung | Mounting Style | Package / Case | Maximum Operating Temperature | Packaging | Pd - Power Dissipation | Configuration | Collector- Emitter Voltage VCEO Max | Collector-Emitter Saturation Voltage | Continuous Collector Current at 25 C | Gate-Emitter Leakage Current | Maximum Gate Emitter Voltage | |
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Ein Angebot |
861
Verfügbar auf Lager
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STMicroelectronics | IGBT Transistors 60A 650V Field Stop Trench Gate IBGT | SMD/SMT | TO-247 | Tube | 360 W | 650 V | 1.9 V | 120 A | 250 nA | 20 V | |||||
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Ein Angebot |
295
Verfügbar auf Lager
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STMicroelectronics | IGBT Transistors IGBT & Power Bipolar | Through Hole | TO-3P | + 175 C | Tube | 469 W | Single | 600 V | 1.85 V | 120 A | 250 nA | 20 V | |||
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Ein Angebot |
303
Verfügbar auf Lager
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Fairchild Semiconductor | IGBT Transistors 650V, 60A Field Stop IGBT | Through Hole | TO-3PN | Tube | 600 W | 650 V | 1.9 V | 120 A | 400 nA | 20 V | |||||
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Ein Angebot |
273
Verfügbar auf Lager
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STMicroelectronics | IGBT Transistors Trench gte FieldStop IGBT 650V 80A | Through Hole | TO-247-3 | + 175 C | Tube | 469 W | Single | 650 V | 1.6 V | 120 A | 250 nA | 20 V | |||
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Ein Angebot |
195
Verfügbar auf Lager
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STMicroelectronics | IGBT Transistors IGBT & Power Bipolar | Through Hole | TO-247-3 | + 175 C | Tube | 469 W | Single | 650 V | 1.6 V | 120 A | 250 nA | 20 V | |||
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Ein Angebot |
90
Verfügbar auf Lager
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IXYS | IGBT Transistors 650V/120A TRENCH IGBT GENX4 XPT | Through Hole | TO-247AD-3 | + 175 C | Tube | 455 W | Single | 650 V | 1.5 V | 120 A | 100 nA | 20 V | |||
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Ein Angebot |
24
Verfügbar auf Lager
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STMicroelectronics | IGBT Transistors Trench gate V series 600V 80A HiSpd | Through Hole | TO-247-3 | + 175 C | Tube | 469 W | Single | 600 V | 1.85 V | 120 A | 250 nA | 20 V | |||
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Ein Angebot |
206
Verfügbar auf Lager
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ON Semiconductor | IGBT Transistors 600V/60A IGBT LPT TO-247 | Through Hole | TO-247-3 | + 150 C | Tube | 298 W | Single | 600 V | 2.6 V | 120 A | 200 nA | 20 V | |||
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Ein Angebot |
440
Verfügbar auf Lager
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Fairchild Semiconductor | IGBT Transistors 600V/60A Field Stop IGBT ver. 2 | Through Hole | TO-247 | + 150 C | Tube | 600 W | 600 V | 1.9 V | 120 A | 400 nA | 20 V | ||||
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Ein Angebot |
300
Verfügbar auf Lager
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STMicroelectronics | IGBT Transistors IGBT & Power Bipolar | Through Hole | TO-3P | + 175 C | Tube | 469 W | Single | 650 V | 1.6 V | 120 A | 250 nA | 20 V | |||
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Ein Angebot |
600
Verfügbar auf Lager
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STMicroelectronics | IGBT Transistors IGBT & Power Bipolar | Through Hole | TO-247-3 | + 175 C | Tube | 469 W | Single | 650 V | 1.6 V | 120 A | 250 nA | 20 V | |||
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Ein Angebot |
600
Verfügbar auf Lager
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STMicroelectronics | IGBT Transistors IGBT & Power Bipolar | Through Hole | TO-247-3 | + 175 C | Tube | 469 W | Single | 600 V | 1.85 V | 120 A | 250 nA | 20 V | |||
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siehe | STMicroelectronics | IGBT Transistors 60 A 650V Field Stop Trench Gate IGBT | Through Hole | TO-247 | Tube | 360 W | 650 V | 2.1 V | 120 A | 20 V |
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