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Collector- Emitter Voltage VCEO Max :
Continuous Collector Current at 25 C :
Gate-Emitter Leakage Current :
8 Produkt
Bild Modell Preis Anzahl Lager Hersteller Beschreibung Mounting Style Package / Case Maximum Operating Temperature Packaging Pd - Power Dissipation Configuration Collector- Emitter Voltage VCEO Max Collector-Emitter Saturation Voltage Continuous Collector Current at 25 C Gate-Emitter Leakage Current Maximum Gate Emitter Voltage
STGW30H60DFB
1+
$1.4040
10+
$1.1920
100+
$1.0360
250+
$0.9800
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458
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STMicroelectronics IGBT Transistors IGBT & Power Bipolar Through Hole TO-247-3 + 175 C Tube 260 W Single 600 V 1.55 V 60 A 250 nA 20 V
IHW30N110R3
1+
$1.6560
10+
$1.4080
100+
$1.2200
250+
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374
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Infineon Technologies IGBT Transistors IGBT PRODUCTS Through Hole TO-247 + 175 C Tube 333 W Single 1100 V 1.55 V 60 A 100 nA 20 V
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1+
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10+
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100+
$1.2200
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220
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Infineon Technologies IGBT Transistors IGBT PRODUCTS Through Hole TO-247-3 + 175 C Tube 333 W Single 1100 V 1.55 V 60 A 100 nA 20 V
STGW20H65FB
1+
$1.4600
10+
$1.2400
100+
$1.0760
250+
$1.0200
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STMicroelectronics IGBT Transistors IGBT & Power Bipolar Through Hole TO-247-3 + 175 C Tube 168 W Single 650 V 1.55 V 40 A 250 nA 20 V
STGWT30H60DFB
1+
$1.2920
10+
$1.0960
100+
$0.9520
250+
$0.9040
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590
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STMicroelectronics IGBT Transistors IGBT & Power Bipolar Through Hole TO-3P + 175 C Tube 260 W Single 600 V 1.55 V 60 A 250 nA 20 V
STGFW20H65FB
1+
$1.5120
10+
$1.2840
100+
$1.1120
250+
$1.0560
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290
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STMicroelectronics IGBT Transistors IGBT & Power Bipolar Through Hole TO-3PF + 175 C Tube 52 W Single 650 V 1.55 V 40 A 250 nA 20 V
STGFW30H65FB
1+
$1.3000
10+
$1.1040
100+
$0.9560
250+
$0.9080
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300
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STMicroelectronics IGBT Transistors IGBT & Power Bipolar Through Hole TO-3PF + 175 C Tube 58 W Single 650 V 1.55 V 60 A 250 nA 20 V
STGWT20H65FB
1+
$1.5120
10+
$1.2840
100+
$1.1120
250+
$1.0560
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STMicroelectronics IGBT Transistors IGBT & Power Bipolar Through Hole TO-3P + 175 C Tube 168 W Single 650 V 1.55 V 40 A 250 nA 20 V