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8 Produkt
Bild | Modell | Preis | Anzahl | Lager | Hersteller | Beschreibung | Mounting Style | Package / Case | Maximum Operating Temperature | Packaging | Pd - Power Dissipation | Configuration | Collector- Emitter Voltage VCEO Max | Collector-Emitter Saturation Voltage | Continuous Collector Current at 25 C | Gate-Emitter Leakage Current | Maximum Gate Emitter Voltage | |
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Ein Angebot |
458
Verfügbar auf Lager
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STMicroelectronics | IGBT Transistors IGBT & Power Bipolar | Through Hole | TO-247-3 | + 175 C | Tube | 260 W | Single | 600 V | 1.55 V | 60 A | 250 nA | 20 V | |||
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Ein Angebot |
374
Verfügbar auf Lager
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Infineon Technologies | IGBT Transistors IGBT PRODUCTS | Through Hole | TO-247 | + 175 C | Tube | 333 W | Single | 1100 V | 1.55 V | 60 A | 100 nA | 20 V | |||
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Ein Angebot |
220
Verfügbar auf Lager
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Infineon Technologies | IGBT Transistors IGBT PRODUCTS | Through Hole | TO-247-3 | + 175 C | Tube | 333 W | Single | 1100 V | 1.55 V | 60 A | 100 nA | 20 V | |||
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Ein Angebot |
598
Verfügbar auf Lager
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STMicroelectronics | IGBT Transistors IGBT & Power Bipolar | Through Hole | TO-247-3 | + 175 C | Tube | 168 W | Single | 650 V | 1.55 V | 40 A | 250 nA | 20 V | |||
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Ein Angebot |
590
Verfügbar auf Lager
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STMicroelectronics | IGBT Transistors IGBT & Power Bipolar | Through Hole | TO-3P | + 175 C | Tube | 260 W | Single | 600 V | 1.55 V | 60 A | 250 nA | 20 V | |||
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Ein Angebot |
290
Verfügbar auf Lager
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STMicroelectronics | IGBT Transistors IGBT & Power Bipolar | Through Hole | TO-3PF | + 175 C | Tube | 52 W | Single | 650 V | 1.55 V | 40 A | 250 nA | 20 V | |||
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Ein Angebot |
300
Verfügbar auf Lager
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STMicroelectronics | IGBT Transistors IGBT & Power Bipolar | Through Hole | TO-3PF | + 175 C | Tube | 58 W | Single | 650 V | 1.55 V | 60 A | 250 nA | 20 V | |||
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Ein Angebot |
300
Verfügbar auf Lager
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STMicroelectronics | IGBT Transistors IGBT & Power Bipolar | Through Hole | TO-3P | + 175 C | Tube | 168 W | Single | 650 V | 1.55 V | 40 A | 250 nA | 20 V |
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