- Ausgewählter Filter :
1 Produkt
| Bild | Modell | Preis | Anzahl | Lager | Hersteller | Beschreibung | Mounting Style | Package / Case | Maximum Operating Temperature | Packaging | Pd - Power Dissipation | Configuration | Collector- Emitter Voltage VCEO Max | Collector-Emitter Saturation Voltage | Continuous Collector Current at 25 C | Gate-Emitter Leakage Current | Maximum Gate Emitter Voltage | |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
Ein Angebot |
1
Verfügbar auf Lager
|
Fairchild Semiconductor | IGBT Transistors 650V 30A FS Planar Gen2 IGBT | Through Hole | TO-3PN-3 | + 175 C | Tube | 300 W | Single | 650 V | 2.29 V | 60 A | 400 nA | +/- 20 V |
1 / 1 Seite
