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| Bild | Modell | Preis | Anzahl | Lager | Hersteller | Beschreibung | Mounting Style | Package / Case | Maximum Operating Temperature | Packaging | Pd - Power Dissipation | Configuration | Collector- Emitter Voltage VCEO Max | Collector-Emitter Saturation Voltage | Continuous Collector Current at 25 C | Gate-Emitter Leakage Current | Maximum Gate Emitter Voltage | |
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Ein Angebot |
269
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Infineon / IR | IGBT Transistors 1200V 220A SUPER-247 | Through Hole | TO-274-3 | + 175 C | Tube | 1.15 kW | Single | 1.2 kV | 2 V | 220 A | 400 nA | +/- 30 V |
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