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Bild | Modell | Preis | Anzahl | Lager | Hersteller | Beschreibung | Mounting Style | Package / Case | Maximum Operating Temperature | Packaging | Pd - Power Dissipation | Configuration | Collector- Emitter Voltage VCEO Max | Collector-Emitter Saturation Voltage | Continuous Collector Current at 25 C | Gate-Emitter Leakage Current | Maximum Gate Emitter Voltage | |
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Fairchild Semiconductor | IGBT Transistors N-CH / 40A 600V FS Planar | Through Hole | TO-247 | + 150 C | Tube | 290 W | Single | 600 V | 2.3 V | 80 A | 400 nA | 20 V | |||
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132
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Fairchild Semiconductor | IGBT Transistors 650V 150A 187W | Through Hole | TO-247 | + 175 C | Tube | 187 W | Single | 650 V | 2.3 V | 150 A | 400 nA | 20 V |
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