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Collector- Emitter Voltage VCEO Max :
Continuous Collector Current at 25 C :
Maximum Gate Emitter Voltage :
5 Produkt
Bild Modell Preis Anzahl Lager Hersteller Beschreibung Mounting Style Package / Case Maximum Operating Temperature Packaging Pd - Power Dissipation Configuration Collector- Emitter Voltage VCEO Max Collector-Emitter Saturation Voltage Continuous Collector Current at 25 C Gate-Emitter Leakage Current Maximum Gate Emitter Voltage
FGH40T65UPD
1+
$1.6640
10+
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RFQ
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Fairchild Semiconductor IGBT Transistors 650 V 80 A 268 W Through Hole TO-247 + 175 C Tube 268 W   650 V 2.1 V 80 A 400 nA 20 V
FGH40N60SMD_F085
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Fairchild Semiconductor IGBT Transistors 600V/40A FS Planar IGBT Gen 2 Through Hole TO-247-3 + 175 C Tube 349 W Single 600 V 2.1 V 80 A 400 nA +/- 20 V
FGH50T65UPD
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RFQ
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Fairchild Semiconductor IGBT Transistors 650 V 100 A 240 W Through Hole TO-247 + 175 C Tube 240 W   650 V 2.1 V 100 A 400 nA 25 V
FGH30T65UPDT_F155
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Fairchild Semiconductor IGBT Transistors 650V FIELD STOP TRENCH IGBT Through Hole TO-247-3 + 175 C Tube 250 W Single 650 V 2.1 V 60 A 400 nA 20 V
FGAF40N60SMD
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RFQ
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Fairchild Semiconductor IGBT Transistors 600 V 80 A 79 W Through Hole TO-3PF + 175 C Tube 79 W   600 V 2.1 V 80 A 400 nA 20 V