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| Bild | Modell | Preis | Anzahl | Lager | Hersteller | Beschreibung | Mounting Style | Package / Case | Maximum Operating Temperature | Packaging | Pd - Power Dissipation | Configuration | Collector- Emitter Voltage VCEO Max | Collector-Emitter Saturation Voltage | Continuous Collector Current at 25 C | Gate-Emitter Leakage Current | Maximum Gate Emitter Voltage | |
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Ein Angebot |
800
Verfügbar auf Lager
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Fairchild Semiconductor | IGBT Transistors Trench IGBT | SMD/SMT | TO-263-3 | + 175 C | Reel | 267 W | Single | 650 V | 2.9 V | 80 A | +/- 400 nA | +/- 20 V |
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