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2 Produkt
Bild | Modell | Preis | Anzahl | Lager | Hersteller | Beschreibung | Mounting Style | Package / Case | Maximum Operating Temperature | Packaging | Pd - Power Dissipation | Configuration | Collector- Emitter Voltage VCEO Max | Collector-Emitter Saturation Voltage | Continuous Collector Current at 25 C | Gate-Emitter Leakage Current | Maximum Gate Emitter Voltage | |
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Ein Angebot |
275
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Fairchild Semiconductor | IGBT Transistors FS2 TIGBT excellent swtching performance | Through Hole | TO-247-4 | + 175 C | Tube | 555 W | Single | 1.2 kV | 1.8 V | 80 A | +/- 400 nA | +/- 25 V | |||
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2,092
Verfügbar auf Lager
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Fairchild Semiconductor | IGBT Transistors 1200V 5A Field Stop Trench IGBT | SMD/SMT | D-PAK-3 | + 150 C | Reel | 69 W | Single | 1.2 kV | 2.9 V | 10 A | +/- 400 nA | +/- 25 V |
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