- Mounting Style :
- Package / Case :
- Maximum Operating Temperature :
- Collector-Emitter Saturation Voltage :
- Maximum Gate Emitter Voltage :
12 Produkt
Bild | Modell | Preis | Anzahl | Lager | Hersteller | Beschreibung | Mounting Style | Package / Case | Maximum Operating Temperature | Packaging | Pd - Power Dissipation | Configuration | Collector- Emitter Voltage VCEO Max | Collector-Emitter Saturation Voltage | Continuous Collector Current at 25 C | Gate-Emitter Leakage Current | Maximum Gate Emitter Voltage | |
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Ein Angebot |
176
Verfügbar auf Lager
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Fairchild Semiconductor | IGBT Transistors 650V FS4 Trench IGBT | Through Hole | TO-247-3 | + 175 C | Tube | 268 W | Single | 650 V | 1.6 V | 100 A | +/- 400 nA | +/- 20 V | |||
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Ein Angebot |
166
Verfügbar auf Lager
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Fairchild Semiconductor | IGBT Transistors 650V Field Stop Trench IGBT | Through Hole | TO-3PN-3 | + 175 C | Tube | 231 W | Single | 650 V | 1.33 V | 80 A | +/- 400 nA | +/- 20 V | |||
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Ein Angebot |
2,599
Verfügbar auf Lager
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Fairchild Semiconductor | IGBT Transistors 650V FS Gen3 Trench IGBT | Through Hole | TO-247-3 | + 175 C | Tube | 268 W | Single | 650 V | 1.6 V | 80 A | +/- 400 nA | +/- 20 V | |||
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Ein Angebot |
352
Verfügbar auf Lager
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Fairchild Semiconductor | IGBT Transistors 650V FS Gen3 Trench IGBT | Through Hole | TO-3PN | + 175 C | Tube | 306 W | Single | 650 V | 1.8 V | 120 A | +/- 400 nA | +/- 20 V | |||
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Ein Angebot |
401
Verfügbar auf Lager
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Fairchild Semiconductor | IGBT Transistors FS3 650V SHD prolferation | Through Hole | TO-3PN | + 175 C | Tube | 268 W | Single | 650 V | 2.28 V | 100 A | +/- 400 nA | +/- 30 V | |||
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Ein Angebot |
304
Verfügbar auf Lager
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Fairchild Semiconductor | IGBT Transistors 650V FS3 Trench IGBT | Through Hole | TO-247-3 | + 175 C | Tube | 455 W | Single | 650 V | 1.6 V | 150 A | +/- 400 nA | +/- 20 V | |||
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Ein Angebot |
375
Verfügbar auf Lager
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Fairchild Semiconductor | IGBT Transistors 650V 40A Field Stop Trench IGBT | Through Hole | TO-3PN-3 | + 175 C | Tube | 268 W | Single | 650 V | 1.4 V | 80 A | +/- 400 nA | +/- 20 V | |||
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Ein Angebot |
405
Verfügbar auf Lager
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Fairchild Semiconductor | IGBT Transistors FS3 650V SHD prolferation | Through Hole | TO-3PN-3 | + 175 C | Tube | 176 W | Single | 650 V | 1.8 V | 60 A | +/- 400 nA | +/- 20 V | |||
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Ein Angebot |
51
Verfügbar auf Lager
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Fairchild Semiconductor | IGBT Transistors N-ch / 40A 650V IGBT | Through Hole | TO-247-3 | + 150 C | Tube | 290 W | Single | 650 V | 1.8 V | 80 A | +/- 400 nA | +/- 20 V | |||
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Ein Angebot |
895
Verfügbar auf Lager
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Fairchild Semiconductor | IGBT Transistors 650V FS4 Trench IGBT | Through Hole | TO-247-3 | + 175 C | Tube | 375 W | Single | 650 V | 1.6 V | 150 A | +/- 400 nA | +/- 20 V | |||
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Ein Angebot |
640
Verfügbar auf Lager
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Fairchild Semiconductor | IGBT Transistors 650V 40A Field Stop Trench IGBT | Through Hole | TO-247-3 | + 175 C | Tube | 267 W | Single | 650 V | 1.85 V | 80 A | +/- 400 nA | +/- 20 V | |||
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Ein Angebot |
800
Verfügbar auf Lager
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Fairchild Semiconductor | IGBT Transistors Trench IGBT | SMD/SMT | TO-263-3 | + 175 C | Reel | 267 W | Single | 650 V | 2.9 V | 80 A | +/- 400 nA | +/- 20 V |
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