- Mounting Style :
- Package / Case :
- Maximum Operating Temperature :
- Configuration :
- Collector- Emitter Voltage VCEO Max :
- Collector-Emitter Saturation Voltage :
- Maximum Gate Emitter Voltage :
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9 Produkt
Bild | Modell | Preis | Anzahl | Lager | Hersteller | Beschreibung | Mounting Style | Package / Case | Maximum Operating Temperature | Packaging | Pd - Power Dissipation | Configuration | Collector- Emitter Voltage VCEO Max | Collector-Emitter Saturation Voltage | Continuous Collector Current at 25 C | Gate-Emitter Leakage Current | Maximum Gate Emitter Voltage | |
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Ein Angebot |
918
Verfügbar auf Lager
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STMicroelectronics | IGBT Transistors IGBT & Power Bipolar | SMD/SMT | DPAK-3 | + 175 C | Reel | 62.5 W | Single | 600 V | 2.75 V | 18 A | 100 nA | 20 V | |||
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Ein Angebot |
500
Verfügbar auf Lager
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Infineon Technologies | IGBT Transistors ENGINEERING SAMPLES TRENCHSTOP... | Through Hole | TO-220-3 | + 175 C | 70 W | Single | 650 V | 1.95 V | 18 A | 100 nA | 20 V | ||||
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Ein Angebot |
500
Verfügbar auf Lager
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Infineon Technologies | IGBT Transistors IGBT PRODUCTS | Through Hole | TO-220-3 | + 175 C | Tube | 70 W | Single | 650 V | 1.95 V | 18 A | 100 nA | 20 V | |||
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Ein Angebot |
500
Verfügbar auf Lager
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Infineon Technologies | IGBT Transistors ENGINEERING SAMPLES TRENCHSTOP... | Through Hole | TO-220-3 | + 175 C | Tube | 70 W | Single | 650 V | 1.9 V | 18 A | 100 nA | 20 V | |||
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Ein Angebot |
334
Verfügbar auf Lager
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Infineon Technologies | IGBT Transistors IGBT PRODUCTS | Through Hole | TO-220-3 | + 175 C | Tube | 70 W | Single | 650 V | 1.9 V | 18 A | 100 nA | 20 V | |||
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Ein Angebot |
83
Verfügbar auf Lager
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IXYS | IGBT Transistors 650V/18A XPT IGBT C3 Copacked TO-220 | Through Hole | TO-220-3 | + 175 C | Tube | 50 W | Single | 650 V | 2.27 V | 18 A | 100 nA | 30 V | |||
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Ein Angebot |
600
Verfügbar auf Lager
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Littelfuse | IGBT Transistors 18A 400V CLAMP IGBT | SMD/SMT | D2PAK | + 175 C | Reel | 115 W | 430 V | 18 A | 18 V | ||||||
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siehe | IXYS | IGBT Transistors 11.5 Amps 1700V 5.2 Rds | Through Hole | + 150 C | Tube | Dual | 1.7 kV | 18 A | +/- 20 V | ||||||||
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Ein Angebot |
396
Verfügbar auf Lager
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Infineon Technologies | IGBT Transistors HI SPEED SWITCHING 600V 30A | Through Hole | PG-TO-220-3 | Tube | 43 W | 600 V | 2.4 V | 18 A | 100 nA | 20 V |
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