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- Mounting Style :
- Package / Case :
- Maximum Operating Temperature :
- Collector- Emitter Voltage VCEO Max :
- Gate-Emitter Leakage Current :
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3 Produkt
Bild | Modell | Preis | Anzahl | Lager | Hersteller | Beschreibung | Mounting Style | Package / Case | Maximum Operating Temperature | Packaging | Pd - Power Dissipation | Configuration | Collector- Emitter Voltage VCEO Max | Collector-Emitter Saturation Voltage | Continuous Collector Current at 25 C | Gate-Emitter Leakage Current | Maximum Gate Emitter Voltage | |
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Ein Angebot |
29
Verfügbar auf Lager
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IXYS | IGBT Transistors | SMD/SMT | TO-268HV-2 | + 150 C | 500 W | Single | 3 kV | 2.5 V | 104 A | +/- 200 nA | +/- 25 V | ||||
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Ein Angebot |
20
Verfügbar auf Lager
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IXYS | IGBT Transistors XPT 1200V IGBT GenX3 XPT IGBTs | Through Hole | TO-247-3 | + 175 C | Tube | 484 W | Single | 1200 V | 2.9 V | 104 A | 100 nA | 30 V | |||
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siehe | Infineon / IR | IGBT Transistors 250V Plasma Display Panel IGBT Switch | Through Hole | TO-247-3 | Tube | 330 W | Single | 250 V | 1.9 V | 104 A | +/- 20 V |
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