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- Package / Case :
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3 Produkt
Bild | Modell | Preis | Anzahl | Lager | Hersteller | Beschreibung | Mounting Style | Package / Case | Maximum Operating Temperature | Packaging | Pd - Power Dissipation | Configuration | Collector- Emitter Voltage VCEO Max | Collector-Emitter Saturation Voltage | Continuous Collector Current at 25 C | Gate-Emitter Leakage Current | Maximum Gate Emitter Voltage | |
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Ein Angebot |
14
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IXYS | IGBT Transistors 50 Amps 900V 2.7 Rds | Through Hole | TO-247-3 | + 150 C | Tube | 400 W | Single | 900 V | 2.2 V | 75 A | 100 nA | +/- 20 V | |||
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Ein Angebot |
30
Verfügbar auf Lager
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IXYS | IGBT Transistors XPT 600V IGBT GenX3 XPT IGBT | Through Hole | ISOPLUS 247-3 | + 150 C | Tube | 400 W | 600 V | 1.5 V | 145 A | 100 nA | +/- 20 V | ||||
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34
Verfügbar auf Lager
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Infineon / IR | IGBT Transistors 1200V UltraFast Discrete IGBT | Through Hole | TO-247AC-3 | + 150 C | Tube | 400 W | Single | 1200 V | 2.4 V | 90 A | 100 nA | +/- 30 V |
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