- Collector-Emitter Saturation Voltage :
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Bild | Modell | Preis | Anzahl | Lager | Hersteller | Beschreibung | Mounting Style | Package / Case | Maximum Operating Temperature | Packaging | Pd - Power Dissipation | Collector- Emitter Voltage VCEO Max | Collector-Emitter Saturation Voltage | Continuous Collector Current at 25 C | Gate-Emitter Leakage Current | Maximum Gate Emitter Voltage | |
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Ein Angebot |
241
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ROHM Semiconductor | IGBT Transistors 650V 20A IGBT Stop Trench | Through Hole | TO-247-3 | + 175 C | Tube | 144 W | 650 V | 1.6 V | 40 A | +/- 200 nA | +/- 30 V | |||
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Ein Angebot |
436
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ROHM Semiconductor | IGBT Transistors 650V 20A IGBT Stop Trench | Through Hole | TO-247-3 | + 175 C | Tube | 144 W | 650 V | 1.6 V | 40 A | +/- 200 nA | +/- 30 V | |||
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Ein Angebot |
365
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ROHM Semiconductor | IGBT Transistors 650V 20A IGBT Stop Trench | Through Hole | TO-247-3 | + 175 C | Tube | 144 W | 650 V | 1.65 V | 40 A | +/- 200 nA | +/- 30 V |
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