Schaffung einer zuverlässigen Handelsplattform für globale Hersteller und Lieferanten.
Collector- Emitter Voltage VCEO Max :
Collector-Emitter Saturation Voltage :
Continuous Collector Current at 25 C :
Gate-Emitter Leakage Current :
Maximum Gate Emitter Voltage :
5 Produkt
Bild Modell Preis Anzahl Lager Hersteller Beschreibung Mounting Style Package / Case Maximum Operating Temperature Packaging Pd - Power Dissipation Configuration Collector- Emitter Voltage VCEO Max Collector-Emitter Saturation Voltage Continuous Collector Current at 25 C Gate-Emitter Leakage Current Maximum Gate Emitter Voltage
IRGP6690D-EPBF
1+
$3.5040
10+
$3.1680
25+
$3.0200
50+
$2.8120
Ein Angebot
RFQ
647
Verfügbar auf Lager
Infineon / IR IGBT Transistors 600V UltraFast IGBT TO-247 Through Hole TO-247AD-3 + 175 C Tube 483 W Single 600 V 1.65 V 140 A 200 nA 20 V
IKW40N120H3
1+
$2.9960
10+
$2.7080
25+
$2.5840
100+
$2.2440
Ein Angebot
RFQ
167
Verfügbar auf Lager
Infineon Technologies IGBT Transistors IGBT PRODUCTS Through Hole TO-247-3 + 175 C Tube 483 W Single 1200 V 2.7 V 80 A 600 nA 20 V
IKW40N120H3FKSA1
1+
$2.9960
10+
$2.7080
25+
$2.5840
100+
$2.2440
Ein Angebot
RFQ
118
Verfügbar auf Lager
Infineon Technologies IGBT Transistors IGBT PRODUCTS Through Hole TO-247-3 + 175 C Tube 483 W Single 1200 V 2.7 V 80 A 600 nA 20 V
IRGP6690DPBF
1+
$3.3120
10+
$2.9960
25+
$2.8560
50+
$2.6600
Ein Angebot
RFQ
21
Verfügbar auf Lager
Infineon Technologies IGBT Transistors 600V UltraFast IGBT TO-247 Through Hole TO-247AC-3 + 175 C Tube 483 W Single 600 V 1.65 V 140 A 200 nA 20 V
IGW40N120H3
1+
$2.4080
10+
$2.1760
25+
$2.0760
100+
$1.8040
Ein Angebot
RFQ
475
Verfügbar auf Lager
Infineon Technologies IGBT Transistors IGBT PRODUCTS Through Hole TO-247-3 + 175 C Tube 483 W Single 1200 V 2.05 V 80 A 600 nA +/- 20 V