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- Package / Case :
- Collector- Emitter Voltage VCEO Max :
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5 Produkt
Bild | Modell | Preis | Anzahl | Lager | Hersteller | Beschreibung | Mounting Style | Package / Case | Maximum Operating Temperature | Packaging | Pd - Power Dissipation | Configuration | Collector- Emitter Voltage VCEO Max | Collector-Emitter Saturation Voltage | Continuous Collector Current at 25 C | Gate-Emitter Leakage Current | Maximum Gate Emitter Voltage | |
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Ein Angebot |
647
Verfügbar auf Lager
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Infineon / IR | IGBT Transistors 600V UltraFast IGBT TO-247 | Through Hole | TO-247AD-3 | + 175 C | Tube | 483 W | Single | 600 V | 1.65 V | 140 A | 200 nA | 20 V | |||
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Ein Angebot |
167
Verfügbar auf Lager
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Infineon Technologies | IGBT Transistors IGBT PRODUCTS | Through Hole | TO-247-3 | + 175 C | Tube | 483 W | Single | 1200 V | 2.7 V | 80 A | 600 nA | 20 V | |||
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Ein Angebot |
118
Verfügbar auf Lager
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Infineon Technologies | IGBT Transistors IGBT PRODUCTS | Through Hole | TO-247-3 | + 175 C | Tube | 483 W | Single | 1200 V | 2.7 V | 80 A | 600 nA | 20 V | |||
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Ein Angebot |
21
Verfügbar auf Lager
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Infineon Technologies | IGBT Transistors 600V UltraFast IGBT TO-247 | Through Hole | TO-247AC-3 | + 175 C | Tube | 483 W | Single | 600 V | 1.65 V | 140 A | 200 nA | 20 V | |||
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Ein Angebot |
475
Verfügbar auf Lager
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Infineon Technologies | IGBT Transistors IGBT PRODUCTS | Through Hole | TO-247-3 | + 175 C | Tube | 483 W | Single | 1200 V | 2.05 V | 80 A | 600 nA | +/- 20 V |
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