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Package / Case :
Collector- Emitter Voltage VCEO Max :
Collector-Emitter Saturation Voltage :
Maximum Gate Emitter Voltage :
6 Produkt
Bild Modell Preis Anzahl Lager Hersteller Beschreibung Mounting Style Package / Case Maximum Operating Temperature Packaging Pd - Power Dissipation Configuration Collector- Emitter Voltage VCEO Max Collector-Emitter Saturation Voltage Continuous Collector Current at 25 C Gate-Emitter Leakage Current Maximum Gate Emitter Voltage
STGW40H120DF2
1+
$3.9040
10+
$3.5280
25+
$3.3640
100+
$2.9200
Ein Angebot
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492
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STMicroelectronics IGBT Transistors IGBT & Power Bipolar Through Hole TO-247-3 + 175 C Tube 468 W Single 1200 V 2.1 V 80 A 250 nA 20 V
STGW40S120DF3
1+
$4.4720
10+
$4.0440
25+
$3.8560
100+
$3.3480
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591
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STMicroelectronics IGBT Transistors IGBT & Power Bipolar Through Hole TO247-3 + 175 C Tube 468 W Single 1.2 kV 1.65 V 80 A 250 nA +/- 20 V
STGWA40S120DF3
1+
$4.6160
10+
$4.1720
25+
$3.9800
100+
$3.4560
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600
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STMicroelectronics IGBT Transistors IGBT & Power Bipolar Through Hole TO247-3 + 175 C Tube 468 W Single 1.2 kV 1.65 V 80 A 250 nA +/- 20 V
STGW40H120F2
1+
$3.9040
10+
$3.5280
25+
$3.3640
100+
$2.9200
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STMicroelectronics IGBT Transistors IGBT & Power Bipolar Through Hole TO-247-3 + 175 C Tube 468 W Single 1200 V 2.1 V 80 A 250 nA 20 V
STGW40M120DF3
600+
$2.7920
1200+
$2.4320
siehe
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STMicroelectronics IGBT Transistors IGBT & Power Bipolar Through Hole TO-247-3 + 175 C Tube 468 W Single 1200 V 1.85 V 80 A 250 nA 20 V
STGWA40M120DF3
1+
$4.2800
10+
$3.8680
25+
$3.6880
50+
$3.4360
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STMicroelectronics IGBT Transistors IGBT & Power Bipolar Through Hole TO-247-3 + 175 C Tube 468 W Single 1200 V 1.85 V 80 A 250 nA 20 V