- Package / Case :
- Collector- Emitter Voltage VCEO Max :
- Collector-Emitter Saturation Voltage :
- Maximum Gate Emitter Voltage :
- Ausgewählter Filter :
6 Produkt
Bild | Modell | Preis | Anzahl | Lager | Hersteller | Beschreibung | Mounting Style | Package / Case | Maximum Operating Temperature | Packaging | Pd - Power Dissipation | Configuration | Collector- Emitter Voltage VCEO Max | Collector-Emitter Saturation Voltage | Continuous Collector Current at 25 C | Gate-Emitter Leakage Current | Maximum Gate Emitter Voltage | |
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
Ein Angebot |
492
Verfügbar auf Lager
|
STMicroelectronics | IGBT Transistors IGBT & Power Bipolar | Through Hole | TO-247-3 | + 175 C | Tube | 468 W | Single | 1200 V | 2.1 V | 80 A | 250 nA | 20 V | |||
|
Ein Angebot |
591
Verfügbar auf Lager
|
STMicroelectronics | IGBT Transistors IGBT & Power Bipolar | Through Hole | TO247-3 | + 175 C | Tube | 468 W | Single | 1.2 kV | 1.65 V | 80 A | 250 nA | +/- 20 V | |||
|
Ein Angebot |
600
Verfügbar auf Lager
|
STMicroelectronics | IGBT Transistors IGBT & Power Bipolar | Through Hole | TO247-3 | + 175 C | Tube | 468 W | Single | 1.2 kV | 1.65 V | 80 A | 250 nA | +/- 20 V | |||
|
Ein Angebot |
1,043
Verfügbar auf Lager
|
STMicroelectronics | IGBT Transistors IGBT & Power Bipolar | Through Hole | TO-247-3 | + 175 C | Tube | 468 W | Single | 1200 V | 2.1 V | 80 A | 250 nA | 20 V | |||
|
siehe | STMicroelectronics | IGBT Transistors IGBT & Power Bipolar | Through Hole | TO-247-3 | + 175 C | Tube | 468 W | Single | 1200 V | 1.85 V | 80 A | 250 nA | 20 V | ||||
|
Ein Angebot |
288
Verfügbar auf Lager
|
STMicroelectronics | IGBT Transistors IGBT & Power Bipolar | Through Hole | TO-247-3 | + 175 C | Tube | 468 W | Single | 1200 V | 1.85 V | 80 A | 250 nA | 20 V |
1 / 1 Seite