Modell	Preis	Anzahl		Lager	Hersteller	Beschreibung	Mounting Style	Package / Case	Maximum Operating Temperature	Packaging	Pd - Power Dissipation	Configuration	Collector- Emitter Voltage VCEO Max	Collector-Emitter Saturation Voltage	Continuous Collector Current at 25 C	Gate-Emitter Leakage Current	Maximum Gate Emitter Voltage
IRGP50B60PDPBF	1+ $2.7400 10+ $2.4760 25+ $2.3640 100+ $2.0520	Ein Angebot	PDF RFQ	138 Verfügbar auf Lager	Infineon / IR	IGBT Transistors 600V Warp2 150kHz	Through Hole	TO-247-3	+ 150 C	Tube	370 W	Single	600 V	2 V	75 A	100 nA	+/- 20 V
AUIRGS30B60K	1+ $1.6960 10+ $1.4400 100+ $1.2480 250+ $1.1840	Ein Angebot	PDF RFQ	116 Verfügbar auf Lager	Infineon / IR	IGBT Transistors 600V AUTO ULTRAFAST 10-30 KHZ IGBT	SMD/SMT	D-PAK-3		Tube	370 W	Single	600 V	2.35 V	78 A		+/- 20 V
AUIRGSL30B60K	1+ $1.6960 10+ $1.4400 100+ $1.2480 250+ $1.1840	Ein Angebot	PDF RFQ	200 Verfügbar auf Lager	Infineon Technologies	IGBT Transistors 600V AUTO ULTRAFAST 10-30 KHZ IGBT	Through Hole	TO-262-3		Tube	370 W	Single	600 V	2.35 V	78 A		+/- 20 V
IRGB30B60KPBF	1+ $1.1960 10+ $1.0160 100+ $0.8800 250+ $0.8360	Ein Angebot	PDF RFQ	300 Verfügbar auf Lager	Infineon Technologies	IGBT Transistors 600V UltraFast 10-30kHz IGBT	Through Hole	TO-220-3		Tube	370 W	Single	600 V	2.35 V	78 A		+/- 20 V
IRGS30B60KPBF	1+ $1.2520 10+ $1.0640 100+ $0.9240 250+ $0.8760	Ein Angebot	PDF RFQ	392 Verfügbar auf Lager	Infineon Technologies	IGBT Transistors 600V ULTRAFAST 10-30 KHZ IGBT	SMD/SMT	D-PAK-3	+ 150 C	Tube	370 W	Single	600 V	2.35 V	78 A	100 nA	+/- 20 V
IRGSL30B60KPBF	1+ $1.2720 10+ $1.0800 100+ $0.9360 250+ $0.8880	Ein Angebot	PDF RFQ	9,379 Verfügbar auf Lager	Infineon Technologies	IGBT Transistors 600V UltraFast 10-30kHz IGBT	Through Hole	TO-262-3		Tube	370 W	Single	600 V	2.35 V	78 A		+/- 20 V