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3 Produkt
Bild | Modell | Preis | Anzahl | Lager | Hersteller | Beschreibung | Mounting Style | Package / Case | Maximum Operating Temperature | Packaging | Pd - Power Dissipation | Configuration | Collector- Emitter Voltage VCEO Max | Collector-Emitter Saturation Voltage | Continuous Collector Current at 25 C | Gate-Emitter Leakage Current | Maximum Gate Emitter Voltage | |
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Ein Angebot |
201
Verfügbar auf Lager
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Infineon Technologies | IGBT Transistors 1200V 90A | Through Hole | TO-247-3 | Tube | 385 W | Single | 1.2 kV | 2 V | 90 A | +/- 30 V | |||||
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Ein Angebot |
38
Verfügbar auf Lager
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Infineon Technologies | IGBT Transistors 1200V 90A | Through Hole | TO-247-3 | Tube | 385 W | Single | 1.2 kV | 2 V | 90 A | +/- 30 V | |||||
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Ein Angebot |
145
Verfügbar auf Lager
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ON Semiconductor | IGBT Transistors FSII 25A 1200V Welding | Through Hole | TO-247-3 | + 175 C | Tube | 385 W | Single | 1.2 kV | 2 V | 50 A | 200 nA | +/- 20 V |
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