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Continuous Collector Current at 25 C :
Maximum Gate Emitter Voltage :
3 Produkt
Bild Modell Preis Anzahl Lager Hersteller Beschreibung Mounting Style Package / Case Maximum Operating Temperature Packaging Pd - Power Dissipation Configuration Collector- Emitter Voltage VCEO Max Collector-Emitter Saturation Voltage Continuous Collector Current at 25 C Gate-Emitter Leakage Current Maximum Gate Emitter Voltage
IRG7PH42UPBF
1+
$2.4920
10+
$2.2520
25+
$2.1480
100+
$1.8640
Ein Angebot
RFQ
201
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Infineon Technologies IGBT Transistors 1200V 90A Through Hole TO-247-3   Tube 385 W Single 1.2 kV 2 V 90 A   +/- 30 V
IRG7PH42U-EP
1+
$2.6880
10+
$2.4280
25+
$2.3160
100+
$2.0080
Ein Angebot
RFQ
38
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Infineon Technologies IGBT Transistors 1200V 90A Through Hole TO-247-3   Tube 385 W Single 1.2 kV 2 V 90 A   +/- 30 V
NGTB25N120SWG
1+
$1.8240
10+
$1.5480
100+
$1.3440
250+
$1.2760
Ein Angebot
RFQ
145
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ON Semiconductor IGBT Transistors FSII 25A 1200V Welding Through Hole TO-247-3 + 175 C Tube 385 W Single 1.2 kV 2 V 50 A 200 nA +/- 20 V