- Mounting Style :
- Package / Case :
- Collector-Emitter Saturation Voltage :
- Maximum Gate Emitter Voltage :
- Ausgewählter Filter :
3 Produkt
Bild | Modell | Preis | Anzahl | Lager | Hersteller | Beschreibung | Mounting Style | Package / Case | Packaging | Pd - Power Dissipation | Configuration | Collector- Emitter Voltage VCEO Max | Collector-Emitter Saturation Voltage | Continuous Collector Current at 25 C | Gate-Emitter Leakage Current | Maximum Gate Emitter Voltage | |
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siehe | Fairchild Semiconductor | IGBT Transistors 600V/10A/ SPM2 | SMD/SMT | SPM32-AA | Tube | 43 W | 600 V | 2.5 V | 10 A | |||||||
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Ein Angebot |
396
Verfügbar auf Lager
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Infineon Technologies | IGBT Transistors HI SPEED SWITCHING 600V 30A | Through Hole | PG-TO-220-3 | Tube | 43 W | 600 V | 2.4 V | 18 A | 100 nA | 20 V | ||||
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Ein Angebot |
216
Verfügbar auf Lager
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Infineon / IR | IGBT Transistors 300V Plasma Display Panel | Through Hole | TO-220FP-3 | Tube | 43 W | Single | 300 V | 1.55 V | 25 A | +/- 30 V |
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