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2 Produkt
Bild | Modell | Preis | Anzahl | Lager | Hersteller | Beschreibung | Mounting Style | Package / Case | Maximum Operating Temperature | Packaging | Pd - Power Dissipation | Configuration | Collector- Emitter Voltage VCEO Max | Collector-Emitter Saturation Voltage | Continuous Collector Current at 25 C | Gate-Emitter Leakage Current | Maximum Gate Emitter Voltage | |
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Ein Angebot |
697
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STMicroelectronics | IGBT Transistors N-CHANNEL MFT | Through Hole | TO-220-3 FP | + 150 C | Tube | 35 W | Single | 600 V | 1.8 V/1.6 V | +/- 100 nA | +/- 20 V | ||||
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Ein Angebot |
5
Verfügbar auf Lager
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Infineon / IR | IGBT Transistors 330V 15A 1.57VFP PDP SMPS | Through Hole | TO-220-3 | Tube | 35 W | 360 V | 1.52 V | 30 A |
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