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27 Produkt
| Bild | Modell | Preis | Anzahl | Lager | Hersteller | Beschreibung | Mounting Style | Package / Case | Maximum Operating Temperature | Packaging | Pd - Power Dissipation | Configuration | Collector- Emitter Voltage VCEO Max | Collector-Emitter Saturation Voltage | Continuous Collector Current at 25 C | Gate-Emitter Leakage Current | Maximum Gate Emitter Voltage | |
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Ein Angebot |
635
Verfügbar auf Lager
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Fairchild Semiconductor | IGBT Transistors N-CH 600V 50A | Through Hole | TO-264-3 | + 150 C | Tube | 250 W | Single | 600 V | 2.2 V | 80 A | +/- 100 nA | +/- 20 V | ||
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Ein Angebot |
166
Verfügbar auf Lager
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IXYS | IGBT Transistors | Through Hole | TO-264-3 | + 150 C | Tube | 625 W | Single | 3 kV | 2.7 V | 130 A | +/- 200 nA | +/- 25 V | ||
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Ein Angebot |
244
Verfügbar auf Lager
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Fairchild Semiconductor | IGBT Transistors 1200V NPT IGBT | Through Hole | TO-264-3 | + 150 C | Tube | Single | 1200 V | +/- 25 V | ||||||
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Ein Angebot |
204
Verfügbar auf Lager
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IXYS | IGBT Transistors XPT IGBT C3-Class 1200V/160A; Copack | Through Hole | TO-264-3 | + 150 C | Tube | 1040 W | Single | 1200 V | 2.75 V | 164 A | 100 nA | 30 V | ||
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Ein Angebot |
170
Verfügbar auf Lager
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IXYS | IGBT Transistors BIMOSFETS 1700V 200A | Through Hole | TO-264-3 | + 150 C | Tube | |||||||||
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Ein Angebot |
71
Verfügbar auf Lager
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IXYS | IGBT Transistors 650V/370A TRENCH IGBT GENX4 XPT | Through Hole | TO-264-3 | + 175 C | Tube | 1150 W | Single | 650 V | 1.4 V | 370 A | 200 nA | 20 V | ||
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Ein Angebot |
75
Verfügbar auf Lager
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IXYS | IGBT Transistors 120 Amps 1200V | Through Hole | TO-264-3 | + 150 C | Tube | 830 W | Single | 1.2 kV | 1.85 V | 240 A | 400 nA | +/- 20 V | ||
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Ein Angebot |
50
Verfügbar auf Lager
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IXYS | IGBT Transistors 320 Amps 600V | Through Hole | TO-264-3 | + 150 C | Tube | 1 kW | Single | 600 V | 1.05 V | 320 A | 400 nA | +/- 20 V | ||
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Ein Angebot |
92
Verfügbar auf Lager
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IXYS | IGBT Transistors 650V/240A TRENCH IGBT GENX4 XPT | Through Hole | TO-264-3 | + 175 C | Tube | 880 W | Single | 650 V | 1.75 V | 240 A | 100 nA | 20 V | ||
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Ein Angebot |
14
Verfügbar auf Lager
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IXYS | IGBT Transistors GenX3 XPT 600V | Through Hole | TO-264-3 | + 175 C | Tube | 1.63 kW | Single | 600 V | 1.4 V | 380 A | 200 nA | +/- 20 V | ||
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Ein Angebot |
22
Verfügbar auf Lager
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Microsemi | IGBT Transistors Insulated Gate Bipolar Transistor - PT Power MOS... | SMD/SMT | TO-264-3 | + 150 C | Tube | 625 W | Single | 600 V | 2 V | 143 A | 100 nA | 30 V | ||
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Ein Angebot |
20
Verfügbar auf Lager
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IXYS | IGBT Transistors 1200V 188A XPT IGBT | Through Hole | TO-264-3 | + 175 C | Tube | 1150 W | Single | 1200 V | 2.9 V | 188 A | 100 nA | 30 V | ||
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Ein Angebot |
51
Verfügbar auf Lager
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IXYS | IGBT Transistors XPT IGBT B3-Class 600V/190Amp CoPacked | Through Hole | TO-264-3 | + 150 C | Tube | 695 W | 600 V | 1.8 V | 190 A | 100 nA | 20 V | |||
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Ein Angebot |
30
Verfügbar auf Lager
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IXYS | IGBT Transistors HIGH VOLT NPT IGBTS 1700V 100A | Through Hole | TO-264-3 | + 150 C | Tube | 830 W | Single | 1.7 kV | 2.5 V | 170 A | 200 nA | +/- 20 V | ||
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Ein Angebot |
34
Verfügbar auf Lager
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IXYS | IGBT Transistors 650V/310A TRENCH IGBT GENX4 XPT | Through Hole | TO-264-3 | + 175 C | Tube | 940 W | Single | 650 V | 1.54 V | 310 A | 200 nA | 20 V | ||
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Ein Angebot |
48
Verfügbar auf Lager
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Microsemi | IGBT Transistors Insulated Gate Bipolar Transistor - PT Power MOS... | Through Hole | TO-264-3 | + 150 C | Tube | 500 W | Single | 900 V | 2.5 V | 117 A | 100 nA | 30 V | ||
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Ein Angebot |
102
Verfügbar auf Lager
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IXYS | IGBT Transistors 28 Amps 1400V | Through Hole | TO-264-3 | + 150 C | Tube | 300 W | Single | 1.4 kV | 3 V | 60 A | 100 nA | +/- 20 V | ||
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Ein Angebot |
8
Verfügbar auf Lager
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IXYS | IGBT Transistors 400 Amps 300V | Through Hole | TO-264-3 | + 150 C | Tube | 1 kW | Single | 300 V | 1.15 V | 400 A | 400 nA | +/- 20 V | ||
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Ein Angebot |
312
Verfügbar auf Lager
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Fairchild Semiconductor | IGBT Transistors HIGH POWER | Through Hole | TO-264-3 | + 150 C | Tube | 180 W | Single | 1000 V | 1.5 V | 60 A | +/- 500 nA | +/- 25 V | ||
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Ein Angebot |
167
Verfügbar auf Lager
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Fairchild Semiconductor | IGBT Transistors 1200V NPT IGBT | Through Hole | TO-264-3 | + 150 C | Tube | Single | 1200 V | +/- 25 V | ||||||
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Ein Angebot |
352
Verfügbar auf Lager
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Fairchild Semiconductor | IGBT Transistors HIGH POWER | Through Hole | TO-264-3 | + 150 C | Tube | 180 W | Single | 1000 V | 1.5 V | 60 A | +/- 500 nA | +/- 25 V | ||
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Ein Angebot |
340
Verfügbar auf Lager
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Fairchild Semiconductor | IGBT Transistors Dis High Perf IGBT | Through Hole | TO-264-3 | + 150 C | Tube | 250 W | Single | 600 V | 2.1 V | 160 A | +/- 100 nA | +/- 20 V | ||
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Ein Angebot |
100
Verfügbar auf Lager
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IXYS | IGBT Transistors 75Amps 600V | Through Hole | TO-264-3 | + 150 C | Tube | 540 W | 600 V | 1.35 V | 75 A | 100 nA | +/- 20 V | |||
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Ein Angebot |
50
Verfügbar auf Lager
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IXYS | IGBT Transistors XPT 600V IGBT GenX3 | Through Hole | TO-264-3 | + 175 C | Tube | 1.63 kW | Single | 600 V | 1.6 V | 340 A | 200 nA | +/- 20 V | ||
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siehe | IXYS | IGBT Transistors 50 Amps 600V 2.5V Rds | Through Hole | TO-264-3 | + 150 C | Tube | Single | 600 V | 2.5 V | +/- 20 V | ||||||
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siehe | IXYS | IGBT Transistors 70 Amps 1200V 3.3 V Rds | Through Hole | TO-264-3 | + 150 C | Tube | Single | 1200 V | 3.3 V | 20 V | ||||||
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siehe | IXYS | IGBT Transistors 650V/290A Trench IGBT GenX4 XPT | Through Hole | TO-264-3 | + 175 C | Tube | 940 W | Single | 650 V | 1.7 V | 290 A | 200 nA | 20 V |
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