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9 Produkt
Bild | Modell | Preis | Anzahl | Lager | Hersteller | Beschreibung | Mounting Style | Package / Case | Maximum Operating Temperature | Packaging | Pd - Power Dissipation | Configuration | Collector- Emitter Voltage VCEO Max | Collector-Emitter Saturation Voltage | Continuous Collector Current at 25 C | Gate-Emitter Leakage Current | Maximum Gate Emitter Voltage | |
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Ein Angebot |
1,608
Verfügbar auf Lager
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STMicroelectronics | IGBT Transistors PowerMESH TM IGBT | SMD/SMT | DPAK-3 | + 150 C | Tube | 56 W | Single | 600 V | 1.9 V | 100 nA | +/- 20 V | ||||
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Ein Angebot |
288
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Infineon Technologies | IGBT Transistors 600V DC-1 KHZ (STD) COPACK IGBT | SMD/SMT | DPAK-3 | + 150 C | Tube | 38 W | Single | 600 V | 1.7 V | 14 A | +/- 20 V | ||||
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Ein Angebot |
192
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Infineon Technologies | IGBT Transistors 600V Fast 1-8kHz Single IGBT | SMD/SMT | DPAK-3 | Tube | 66 W | Single | 600 V | 2.1 V | 22 A | +/- 20 V | |||||
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Ein Angebot |
446
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Infineon Technologies | IGBT Transistors 600V ULTRAFAST 8-60 KHZ COPACK IGBT | SMD/SMT | DPAK-3 | + 150 C | Tube | 38 W | Single | 600 V | 2.6 V | 8.5 A | +/- 20 V | ||||
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Ein Angebot |
375
Verfügbar auf Lager
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Infineon / IR | IGBT Transistors 600V LO VCEON IGBT HALF BRIDGE 2 CH | SMD/SMT | DPAK-3 | Tube | 77 W | 600 V | 2 V | 12 A | |||||||
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Ein Angebot |
182
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Infineon / IR | IGBT Transistors 600V Non Punch Thru Short Cir Ratd IGBT | SMD/SMT | DPAK-3 | Tube | 52 W | Single | 600 V | 2.4 V | 7.8 A | +/- 20 V | |||||
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Ein Angebot |
346
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Infineon / IR | IGBT Transistors 600V TRENCH ULTRAFAST IGBT | SMD/SMT | DPAK-3 | + 175 C | Tube | 58 W | Single | 600 V | 1.75 V | 11 A | 100 nA | 20 V | |||
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Ein Angebot |
298
Verfügbar auf Lager
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Infineon / IR | IGBT Transistors 600V TRENCH ULTRAFAST IGBT | SMD/SMT | DPAK-3 | + 175 C | Tube | 77 W | Single | 600 V | 1.7 V | 16 A | 100 nA | 20 V | |||
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Ein Angebot |
524
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Infineon / IR | IGBT Transistors IR IGBT 600V 6A, COPAK-DPAK | SMD/SMT | DPAK-3 | + 175 C | Tube | 39 W | 600 V | 2 V | 6 A | 100 nA | 20 V |
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